[发明专利]处理从非易失性存储器进行设备引导期间的错误

说明书

技术领域

本公开涉及处理从非易失性存储器进行设备引导期间的错误。

背景技术

NAND闪存以及其它类型的非易失性存储器(“NVM”)被普遍用在电子设备中以用于大容量存储。例如，消费电子设备，诸如便携式媒体播放器，常常包括NAND闪存以存储音乐、视频以及其它媒体程序。

当电子设备正在加电或重启时，操作系统可以从电子设备的NVM引导。操作系统的引导可以分多个步骤进行。例如，电子设备可以被配置为首先将引导程序(bootloader)从NVM或掩模型只读存储器(“ROM”)装入易失性存储器。电子设备然后可以使用引导程序将操作系统及相关联的固件从NVM装入到易失性存储器。

在某些情况下，当设备正在引导时，NVM中可能发生错误。如果这样的错误不被纠正，这些错误可能导致数据丢失或使设备无法工作。

发明内容

提供了用于处理从非易失性存储器(NVM)(诸如NAND闪存)进行设备引导期间的错误的系统和方法。在设备可能只能从NVM读取数据的设备引导期间，电子设备可以使用易失性存储器中的错误日志来记录错误通知。例如，当电子设备正在从NVM引导时，设备的NVM接口能够检测错误并在错误日志中存储一个或多个错误通知。然后，一旦设备完成了引导并且到达了能够对设备进行写入的状态，设备的NVM驱动器就可被配置为利用该错误日志来纠正先前检测到的错误。

附图说明

结合附图考虑下面的详细描述后，本发明的上述和其它方面及优点将变得更加明显，在所有附图中，类似的附图标记表示类似的部件，其中：

图1是根据本发明的各种实施例配置的电子设备的示意性框图；

图2是根据本发明的各种实施例的电子设备引导的图示；

图3是根据本发明的各种实施例，用于处理在设备引导期间的错误的示意性过程的流程图。

具体实施方式

提供了用于处理从非易失性存储器(“NVM”)进行设备引导期间的错误的系统和方法。为了防止固件故障和避免数据丢失，电子设备的NVM接口可被配置为在设备正在引导时检测错误并在易失性存储器中维护错误日志。在该阶段，电子设备可以工作在只读环境(read-only context)下。如这里所使用的，“只读环境”可以指电子设备不能对NVM执行写入从而也不能纠正NVM中检测到的任何错误的工作状态。

然后，一旦电子设备已经进入了可写环境(例如，设备引导已经完成)，电子设备的NVM启动器就可以被配置为利用错误日志来纠正检测到的错误。如这里所使用的，“可写环境”可以指电子设备的一个或多个部件能够对NVM执行写入操作的工作状态。

因此，一旦设备已经进入了可写环境，NVM驱动器就可以将数据移动到更可靠的区块和/或停用(retire)接近故障的区块。从而，存储在设备上的固件能够使用更长的时间段而无需任何更新，并且致命错误的发生也可以减少。

图1示出电子设备100的框图。在某些实施例中，电子设备100可以是或可以包括便携式媒体播放器(例如，Cupertino，CA的Apple Inc.的产品iPod^TM)、蜂窝电话(例如，Apple Inc.的产品iPhone^TM)、口袋大小的个人计算机、个人数字助理(“PDA”)、台式计算机、膝上型计算机、以及任何其它适当类型的电子设备。

电子设备100可以包括系统级芯片(system-on-a-chip，“SoC”)110和非易失性存储器(“NVM”)120。NVM 120可以包括基于浮栅或电荷捕捉技术的NAND闪存、NOR闪存、可擦可编程只读存储器(“EPROM”)、电可擦可编程只读存储器(“EEPROM”)、铁电RAM(“FRAM”)、磁阻RAM(“MRAM”)、或它们的任何组合。

NVM 120可以被组织为“区块”，区块是最小的可擦除单元，并且可被进一步组织为“页面”，页面可以是最小的可编程或读取的单元。在某些实施例中，NVM 120可以包括多个集成电路，每个集成电路可以具有多个区块。来自相应集成电路的区块(例如，具有相同位置或区块号的区块)可以形成“超级块”。NVM 120的每个存储单元(memory location)(例如页面或区块)可以使用物理地址(例如，物理页面地址或物理区块地址)来引用。