[发明专利]闪存控制器有效
申请号: | 201110252548.1 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN102956255A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 杨宗杰;郭郡杰;林璟辉;沈扬智 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制器 | ||
1.一种闪存控制器,其包含有:
一通信接口,用于接收一第一数据、一第二数据、以及一第三数据;
一记录媒体,用于记录一闪存模块中储存的数据量,其中该闪存模块包含有一读写电路、一第一数据区块、一第二数据区块、与一第三数据区块;以及
一处理电路,耦接于该通信接口、该记录媒体、以及该闪存模块,用于在该闪存模块中储存的数据量低于一第一阀值时,控制该读写电路将该第一数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第一电压范围内,以将该第一数据写入该第一数据区块中,而当该闪存模块中储存的数据量高于一第二阀值时,该处理电路会控制该读写电路将该第三数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第二电压范围内,以将该第三数据写入该第三数据区块中;
其中该第二阀值大于该第一阀值,且该第一电压范围小于该第二电压范围的50%。
2.如权利要求1所述的闪存控制器,其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的80%。
3.如权利要求1所述的闪存控制器,其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60%。
4.如权利要求1所述的闪存控制器,其中该第一电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的30%。
5.如权利要求1所述的闪存控制器,其中该通信接口还会接收一第四数据,若该第四数据不是冷数据,则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量,来决定要用来储存该第四数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。
6.如权利要求5所述的闪存控制器,其中该通信接口还会接收一第五数据,若该第五数据不是热数据,则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量,来决定要用来储存该第五数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。
7.如权利要求1所述的闪存控制器,其中该通信接口还会接收一第五数据,若该第五数据不是热数据,则该处理电路会依据该闪存模块中储存的数据量,来决定要用来储存该第五数据的一数据区块中的储存单元的编程临界电压的范围。
8.如权利要求1所述的闪存控制器,其中当该通信接口接收到该第二数据时,若该闪存模块中储存的数据量介于该第一阀值与该第二阀值之间,则该处理电路会控制该读写电路将该第二数据区块中的至少一储存单元的编程临界电压设置于一第三电压范围内,以将该第二数据写入该第二数据区块中,且该第三电压范围小于该第二电压范围的60%。
9.如权利要求8所述的闪存控制器,其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的80%。
10.如权利要求8所述的闪存控制器,其中该第三电压范围的上限值低于该第二电压范围的上限值的60%。
11.如权利要求8所述的闪存控制器,其中该处理电路会控制该读写电路将该第一数据以每储存单元一位模式写入该第一数据区块中,将该第二数据以每储存单元两位模式写入该第二数据区块中,并将该第三数据以每储存单元三位模式写入该第三数据区块中。
12.如权利要求11所述的闪存控制器,其中该处理电路会依据各数据区块以每储存单元一位模式写入的次数、以每储存单元两位模式写入的次数、及/或以每储存单元三位模式写入的次数,从该闪存模块中选出该第一、第二、和第三数据区块。
13.如权利要求11所述的闪存控制器,其中当该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值,或是空白数据区块数量低于一第四阀值时,该处理电路会控制该读写电路将一或多个以每储存单元一位模式写入数据的候选数据区块中的有效数据,以每储存单元两位模式或每储存单元三位模式写入一目标数据区块,并抹除该等候选数据区块。
14.如权利要求11所述的闪存控制器,其中当该闪存模块使用中的数据区块数量高于一第三阀值,或是空白数据区块数量低于一第四阀值时,该处理电路会控制该读写电路将一或多个以每储存单元两位模式写入数据的候选数据区块中的有效数据,以每储存单元三位模式写入一目标数据区块,并抹除该等候选数据区块。
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