[发明专利]一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件，其特征在于，包括栅极和金属硅化物层；其中，所述栅极外侧由里至外依次覆盖有多层侧壁，而所述金属硅化物层覆盖于所述多层侧壁和所述栅极的上方；所述多层侧壁中最外层侧壁为氮硅化合物制成的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层下端与栅极的源极或是漏极相连接，用于防止侧壁成型工艺过程中侧壁损失所导致的在侧壁的下方靠近源极或漏极侧所形成的空洞，进而防止空洞使得金属硅化物层中的金属离子有空洞扩散渗透至栅极的浅沟道中所导致的源极与漏极导通。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层侧壁包括多层氧化物侧壁和多层氮硅化合物侧壁；所述氮硅化合物侧壁和氧化物侧壁间隔排列，且靠近所述栅极的最内层侧壁为栅氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极包括四层侧壁，由里至外依次为栅氧化层；第一氮化硅层；第二氧化物层和扩散阻挡层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物层采用含镍的基体和硅的基体反应形成的镍硅化合物制成。

5.一种制备权利要求1所述的防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备包括以下步骤：

步骤一、在半导体衬底上建立栅极，并在所述栅极外侧形成多层侧壁，并完成源极与漏极离子注入；

步骤二、刻蚀移除栅极最外层的侧壁，并在覆盖有其余多层侧壁的栅极上方由下至上依次覆盖一层氮硅化合物保护层和另一层金属氧化物层； 

步骤三、采用刻蚀工艺完全去除覆盖所述氮硅化合物保护层上方的金属氧化物层，以及去除部分的氮硅化合物保护层，且剩余的氮硅化合物保护层在栅极的外侧形成一层扩散阻挡层，且所述扩散阻挡层与所述栅极的源极或漏极相连接其包裹住所述的多层侧壁；

步骤四、在所述栅极上方覆盖一层金属硅化物层，并完成半导体器件制备。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述多层侧壁包括采用氧化物制成的氧化物侧壁和采用氮硅化合物制成的氮硅化合物侧壁；所述氮硅化合物侧壁和氧化物侧壁间隔排列，且靠近所述栅极的最内层侧壁为栅氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤1中，由里至外由里至外依次覆盖一层栅氧化层、第一氮化硅层、第二氧化物层和第二氮化硅层。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物层采用含镍的基体和硅的基体反应形成的镍硅化合物制成。