[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池装置，包括：

基板；

包括至少一p-n结面的III-V族太阳能电池结构，位于该基板之上；

第一半导体窗户层，位于该III-V族太阳能电池结构之上；

第二半导体窗户层，位于该第一半导体窗户层之上；

抗反射层，位于该第二半导体窗户层之上；

接触层，设于该抗反射层之中且位于第二半导体窗户层上；以及

电极，位于该接触层之上；

其中该第二半导体窗户层成分不含有铝。

2.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该第一半导体窗户层的材料为AlGaAs或AlInP。

3.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该第二半导体窗户层的材料为GaP或GaInP。

4.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该第一半导体窗户层的厚度为是至及/或其中该第二半导体窗户层的厚度为低于

5.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该太阳能电池结构为单结面太阳能电池或多结面太阳能电池。

6.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该太阳能电池结构为双结面太阳能电池，具有靠近该基板且由两层具有相异电性的GaAs构成的下电池，及远离该基板且由两层具有相异电性的GaInP构成的上电池。

7.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该基板为Ge基板或GaAs基板。

8.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该抗反射层包括靠近该第二半导体窗户层的氧化钛层及远离该第二半导体窗户层的氧化铝层。

9.如权利要求8所述的太阳能电池装置，其中该氧化钛层的厚度为至该氧化铝层的厚度为至

10.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其中该第二半导体窗户层的能隙不大于该第一半导体窗户层的能隙。