[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上并且彼此隔开的与所述栅电极重叠的第一半导体层和第二半导体层；

位于所述第一半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第一源电极和第一漏电极；以及

位于所述第二半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第二源电极和第二漏电极；

其中所述第一源电极通过与所述栅电极重叠的源接线联结至所述第二源电极，并且

所述第一漏电极联结至所述第二漏电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一半导体层包括：

与所述第一源电极电接触的第一源区；

与所述第一漏电极电接触的第一漏区；以及

位于所述第一源区与所述第一漏区之间的第一沟道区，

其中第一源偏移区位于所述第一源区与所述第一沟道区之间，并且第一漏偏移区位于所述第一漏区与所述第一沟道区之间。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一源偏移区的宽度是所述栅电极与所述第一源电极之间的距离，并且所述第一漏偏移区的宽度是所述栅电极与所述第一漏电极之间的距离。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第二半导体层包括：

与所述第二源电极电接触的第二源区；

与所述第二漏电极电接触的第二漏区；以及

位于所述第二源区与所述第二漏区之间的第二沟道区，

其中第二源偏移区位于所述第二源区与所述第二沟道区之间，并且第二漏偏移区位于所述第二漏区与所述第二沟道区之间。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述第二源偏移区的宽度是所述栅电极与所述第二源电极之间的距离，并且所述第二漏偏移区的宽度是所述栅电极与所述第二漏电极之间的距离。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述第一源偏移区和所述第二源偏移区位于所述栅电极的相对侧上，并且所述第一漏偏移区和所述第二漏偏移区位于所述栅电极的相对侧上。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述第一源电极和所述第二源电极位于所述栅电极的相对侧上，并且所述第一漏电极和所述第二漏电极位于所述栅电极的相对侧上。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述源接线位于与所述第一源电极和所述第二源电极相同的层上。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述源接线与所述栅电极绝缘并且与所述栅电极交叉。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述第一漏电极和所述第二漏电极与漏接线位于相同的层上，并且通过所述漏接线而联结。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述漏接线不与所述栅电极重叠。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层包括从非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、微晶硅和激光结晶硅所组成的组中选择的材料。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中所述第一源偏移区的宽度是所述栅电极与所述第一源电极之间的距离，且位于1μm至10μm的范围内，并且所述第一漏偏移区的宽度是所述栅电极与所述第一漏电极之间的距离，且位于1μm至10μm的范围内，并且

其中所述第二源偏移区的宽度是所述栅电极与所述第二源电极之间的距离，且位于1μm至10μm的范围内，并且所述第二漏偏移区的宽度是所述栅电极与所述第二漏电极之间的距离，且位于1μm至10μm的范围内。