[发明专利]动态存储器的重刷新电路及方法有效

申请号：	201110243023.1	申请日：	2011-08-19
公开（公告）号：	CN102956260A	公开（公告）日：	2013-03-06
发明（设计）人：	林哲民	申请（专利权）人：	华邦电子股份有限公司
主分类号：	G11C11/402	分类号：	G11C11/402
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003	代理人：	赵根喜;冯志云
地址：	中国台湾台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	动态存储器刷新电路方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种动态存储器的重刷新电路及方法。

背景技术

动态存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)由于其架构的关系，需利用重刷新动作(refresh)来维持其记忆胞中所存储的数据的正确性。在公知技术中，重刷新动作可以通过所谓的丛发式(burst mode)的重刷新方式或是分配式(distribute mode)重刷新方式来进行。

在动态存储器的自动重刷新(auto-refresh)阶段中，是采用丛发式的重刷新方式，而当其由自动重刷新阶段切换至自刷新(self-refresh)阶段时，重刷新动作则被切换成分配式重刷新方式来进行。请参照图1，图1为公知的动态存储器的重刷新状态的示意图。其中，当在时间T₁时，动态存储器由自动重刷新阶段切换至自刷新阶段，并启动分配式重刷新模式。在分配式重刷新模式，动态存储器的每一条字元线(word line)是依据一个延迟时间来依序进行重刷新的。由于时间T₁可能会随时发生，因此字元线W_n被重刷新的时间点与前一次进行丛发式重刷新动作BR的时间点，很容易产生间隔过长的情形，而导致字元线W_n上的记忆胞所存储的数据产生漏失的现象。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种动态存储器的重刷新电路及其重刷新方法，使动态存储器进入待机模式时，不会因过慢执行重刷新动作而造成存储数据的漏失。

本发明提出一种动态存储器的重刷新电路，包括控制器及重刷新信号产生器。控制器传送自刷新启动信号。重刷新信号产生器耦接控制器，依据自刷新启动信号以启动自刷新模式，重刷新信号产生器在自刷新模式被启动时，先针对动态存储器的记忆胞阵列执行丛发式重刷新动作后，接着再针对该记忆胞阵列执行分配式重刷新动作。

本发明提出一种动态存储器的重刷新方法，包括：首先依据自刷新启动信号以启动自刷新模式。并在自刷新模式被启动时，先针对动态存储器的记忆胞阵列执行丛发式重刷新动作后，接着再针对记忆胞阵列执行分配式重刷新动作。

本发明的有益效果在于，基于上述，本发明利用在动态存储器进入自刷新模式时，先行执行丛发式重刷新动作，再进行分配式重刷新动作。如此一来，可避免在进入自刷新模式时，字元线W_n被重刷新的时间点与前次丛发式重刷新动作BR发生的时间点间隔过久，而导致字元线W_n上记忆胞存储的数据因未及时被重刷新而产生漏失的问题，进以提升动态存储器的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明。

附图说明

图1为公知的动态存储器的重刷新状态的示意图。

图2为本发明动态存储器的重刷新电路一实施例的示意图。

图3为本发明实施例的动态存储器的重刷新电路的重刷新动作波形图。

图4为本发明重刷新信号产生器一实施例的示意图。

图5为本发明动态存储器的重刷新方法一实施例的流程图。

图6为本发明动态存储器的重刷新方法一实施例的流程图。

其中，附图标记说明如下：

200：重刷新电路

210：控制器

220：重刷新信号产生器