[发明专利]记录装置和光学振荡器装置无效
| 申请号： | 201110236437.1 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102376316A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 藤田五郎;宫岛孝夫;仓本大;渡边秀辉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/004 | 分类号： | G11B7/004;G11B7/126;H01S5/343;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 装置 光学 振荡器 | ||
1.一种在光学记录介质中记录信息的记录装置，所述记录装置包括：
自激振荡半导体激光器，其包括施加偏压的可饱和吸收体部分以及注入增益电流的增益部分，所述自激振荡半导体激光器还发射激光以在所述光学记录介质中记录所述信息；
基准信号产生单元，其产生主时钟信号，还将与所述主时钟信号同步的注入信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述增益部分；以及
记录信号产生单元，其基于所述主时钟信号产生记录信号，还将所述记录信号施加给所述自激振荡半导体激光器的所述可饱和吸收体部分以作为所述偏压。
2.根据权利要求1所述的记录装置，其中，从所述光学记录介质的凹槽中形成的摆动部获得的信号被提供给所述记录信号产生单元。
3.根据权利要求1所述的记录装置，其中，所述自激振荡半导体激光器具有GaInN/GaN/AlGaN材料的双量子阱分别限制异质结构。
4.根据权利要求3所述的记录装置，其中，所述偏压是负值；在负方向上，在所述自激振荡半导体激光器的非振荡时间段内的所述偏压比在所述自激振荡半导体激光器的振荡时间段内的所述偏压更大。
5.一种光学振荡器装置，包括：
自激振荡半导体激光器，其包括施加偏压的可饱和吸收体部分以及注入增益电流的增益部分，所述自激振荡半导体激光器还发射激光；
基准信号产生单元，其产生主时钟信号，还将与所述主时钟信号同步的注入信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述增益部分；以及
发射信号产生单元，其基于所述主时钟信号产生预定信号，还将所述预定信号施加给所述自激振荡半导体激光器的所述可饱和吸收体部分以作为所述偏压。
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