[发明专利]膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法

权利要求书

1.一种膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，包括步骤：焊接前，固定基板，将所述隔膜平展地覆盖在所述基板的表面；施加压力将隔膜压在所述基板表面，焊接时利用激光透过所述隔膜照射所述基板上的焊接区域，所述焊接区域受热熔化后将所述基板和隔膜焊接在一起。

2.如权利要求1所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，对所述隔膜施加拉力，拉紧后覆盖在所述基板的表面。

3.如权利要求2所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，施加压力时随所述隔膜弹性参数和施加的压力大小调整拉力大小。

4.如权利要求1所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，焊接时，所述激光的功率为：80～120W，激光扫描速度为：60～80mm/s。

5.如权利要求1～4中任一项所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，焊接前还采用蒙板遮挡所述基板的非焊接区域，使激光透过蒙板的透光区域照射到所述基板的焊接区域。

6.如权利要求5所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，采用透明的压板施加压力将隔膜压在所述基板表面。

7.如权利要求6所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，采用透明的压板施加压力前，在所述隔膜和所述压板之间设置一层透明的弹性软垫。

8.如权利要求5所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，采用气压舱施加压力的方式将隔膜压在所述基板表面，将所述气压舱的气压或外界气压施，或将气压舱的气压和外界气压同时施加在所述隔膜和基板的焊接的表面，施加气压时，气压舱为密闭状态。

9.如权利要求8所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，所述气压舱与所述隔膜同侧，利用所述隔膜密封所述气压舱，向所述气压舱中充气，充入的气体在所述隔膜表面形成气压面以对所述隔膜施加压力，所述气压舱的舱体为透明材料制成。

10.如权利要求9所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，充气时还包括调节所述气压舱内气压的步骤。

11.如权利要求8所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，所述气压舱与所述隔膜同侧，在所述隔膜表面覆盖一层压膜，利用所述压膜密封所述气压舱，向所述气压舱中充气，充入的气体在所述压膜表面形成气压面以对所述隔膜施加压力，所述气压舱的舱体为透明材料制成。

12.如权利要求10所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，所述压膜覆盖在所述隔膜表面后对所述压膜施加拉力，充气时根据气压大小调整所述拉力大小。

13.如权利要求10所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，所述压膜的物料特性和所述隔膜的物料特性相同。

14.如权利要求10所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，充气时还包括调节所述气压舱内气压的步骤。

15.如权利要求8所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，将所述气压舱与所述基板同侧，利用所述隔膜密封所述气压舱，抽出气压舱中的气体，外界气压在所述隔膜表面形成气压面以对所述隔膜施加压力。

16.如权利要求15所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，抽气时还包括调节所述气压舱内气压的步骤。

17.如权利要求8所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，包括两个气压舱，第一气压舱位于隔膜侧，第二气压舱位于基板侧，利用所述隔膜密封所述第一气压舱和第二气压舱，向所述第一气压舱中充气，同时抽出第二气压舱中的气体，两气压舱的气体压差在所述隔膜表面形成气压面以对所述隔膜施加压力，所述第一气压舱的舱体为透明材料制成。

18.如权利要求17所述的膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，其特征在于，充气和抽气时还包括调节所述第一气压舱和第二气压舱内气压的步骤。