[发明专利]一种晶片粘接蜡

说明书

技术领域

本发明涉及一种粘接蜡，特别涉及一种具有高拉伸剪切强度的晶片粘接蜡。 

背景技术

在各种晶片的抛光过程中，比较常用的抛光方式为无蜡抛光和有蜡抛光。随着单晶直径的不断增大，有蜡抛光逐步成为大直径晶片的主要抛光方式。同时，对于厚度较薄的晶片而言，由于有蜡抛光是将晶片完全固定在基板上，具有在抛光过程中不易碎片的特点，因此也成为厚度较薄晶片的主要抛光方式。上述的“蜡”实际是含蜡的粘接材料，实际上在晶片的加工过程中，切割及抛光工序都需要将晶片进行高强度的粘接固定，目前主流的粘接材料都是松香加石蜡调配而成。 

如中国专利申请号200910030364.3的发明专利公开了一种粘接晶片胶：各组成的重量比为85号地蜡∶松香∶热熔胶＝5∶3∶5。 

中国专利公开号CN101984012A的发明专利公开了一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法，该粘结剂主要由石蜡、松香和虫胶组成，其中石蜡、松香、虫胶按20-50∶40-75∶5-20的质量比配比。 

中国专利专利号00117420.7的发明专利公开了一种含松香和紫胶的精密磁石切割用热熔胶粉及其制法，该热熔胶粉按重量份数计， 组成包括松香30-50份、紫胶30-50份、聚合松香3-8份、经硅油表面处理的轻质碳酸钙2-5份。 

上述专利中的粘接蜡的主要成分为石蜡、松香、紫(虫)胶和聚合松香等，其中松香起主要的粘性作用，紫(虫)胶、聚合松香主要提供内聚强度和一定的粘性，石蜡为降低粘度(提高胶的流动性)作用。松香粘性好，但软化点低，特别是添加石蜡的情况下，软化点只能达到55℃-65℃，在加工过程中晶片温度升高，造成粘接强度急剧下降，所以得添加聚合松香或紫胶。聚合松香及紫胶内聚力强，软化点高，可达145℃，可有效提高晶片粘接蜡的软化点和内聚强度，但融熔运动粘度大，流动性变差，会带来粘接效果下降，要改进流动性，只能增加石蜡含量或提高施胶温度，增加石蜡含量则软化点、内聚强度及粘性降低，提高施胶温度(比如120℃)则松香易变质，损失粘性，所以聚合松香及紫胶添加量受到限制。有人把上述石蜡更换成聚乙烯蜡或费托合成蜡，内聚力有所提高，但从拉伸剪切强度测试数据看，粘接力并没有实质的提高。 

从晶片粘接的要求看，需要一种软化点适中，粘性和流动性好，内聚力高的粘接蜡。 

通常粘接蜡使用时温度控制在高出软化点30℃时为好，低于这个温度则蜡中开始出现结晶，浸润性下降，粘接力下降；高出这个温度，则运动粘度太低，流动性过高，造成粘接面太薄，粘接强度下降。虽然软化点越高越耐温，但有些晶片加工后采用热水浸泡，将晶片上的粘接蜡泡软除下，则要求粘接蜡的软化点不宜超过100℃。而且含 松香的粘接蜡使用温度不宜超过120℃，一般在110℃左右，所以粘接蜡的软化点不宜超过90℃，一般控制在80℃左右。 

流动性是以运动粘度指标来表示，当某一温度的运动粘度越低，则该温度下的流动性越好。当运粘接温度下动粘度高时，则粘接蜡和晶片的浸润性下降明显，粘接力下降。如前所述，运动粘度也不是越低越好，从使用经验总结，110℃下运动粘度控制在100-200mm²/s为好。 

从实际拉伸剪切强度测试可以看出，大部分都是内聚破坏，即粘接层内聚强度不够。从抛光产生的剪切力可知，拉伸剪切强度指标不能低于20Kg/cm²。但目前所公开技术的粘接蜡，经测试，拉伸剪切强度普遍在12-22Kg/cm²，所以在实际晶片加工过程中有时好有时坏，根本原因就是粘接力不够，即拉伸剪切强度不够高。 

综上所述，针对现有技术的缺陷，特别需要一种晶片粘接蜡，以解决以上提到的问题。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶片粘接蜡，解决上述现有技术的缺陷，软化点适中，粘性和流动性好，内聚力高。 

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现： 

一种晶片粘接蜡，其特征在于，它包含以下重量百分比的组分：微晶蜡1-5％、合成蜡5-10％、酰胺蜡5-10％、松香50-75％和改性松香5-10％。 

在本发明的一个实施例中，所述合成蜡采用费托合成蜡，分子量分布窄，熔融粘度低，可有效降低熔化状态下的运动粘度，并且加快晶片粘接蜡的凝固速度。 

在本发明的一个实施例中，所述酰胺蜡采用N.N’-1、2-乙二基双十二(碳)酰胺或N.N’-1、2-乙二基双十八(碳)酰胺，有效提高晶片粘接蜡的拉伸剪切强度。