[发明专利]一种阵列波导光栅实现均匀偏振补偿的方法有效

专利信息
申请号: 201110219194.0 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102253448B 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 何建军;邹俊;郎婷婷 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B6/124 分类号: G02B6/124;H04J14/02
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 波导 光栅 实现 均匀 偏振 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列波导光栅实现均匀偏振补偿的方法,光从输入波导(1)依次通过输入平板波导区 (2)、阵列波导区(3)和输出平板波导区(4)传播至输出波导(5)时经过阵列波导区(3)中相邻两波导 所对应的总光程差由输入平板波导区(2)、阵列波导区(3)和输出平板区(4)中的光程差共同决 定;其特征在于:输入平板波导区(2)、阵列波导区(3)和输出平板波导区(4)的各自的两偏振态 模式之间均存在双折射差异;阵列波导区(3)中的两种偏振态使用不同衍射级次后,余下的偏 振波长漂移由输入平板波导区(2)和输出平板波导区(4)共同补偿,即TE和TM模分别满足的衍 射方程为nse(λ)ΔL0+nse(λ)ΔL+nae(λ)ΔLa=(m+i)λe和nsm(λ)ΔL0+nsm(λ)ΔL+nam(λ)ΔLAa=mλm, 其中nse(λ)表示横电模TE在输入平板波导区(2)和输出平板波导区(4)的有效折射率且随波长而 变化,nae(λ)表示横电模TE在阵列波导区(3)中的有效折射率且随波长而变化,nsm(λ)表示横磁 模TM在输入平板波导区(2)和输出平板波导区(4)的有效折射率且随波长而变化,nam(λ)表示横 磁模TM在阵列波导区(3)中的有效折射率且随波长而变化;m为TM模的衍射级次且是大于 零的正整数,(m+i)表示TE模的衍射级次且i是非零的整数,ΔL0、ΔLa和ΔL分别是经过阵列 波导区(3)中相邻阵列波导的光路在输入平板波导区(2)、阵列波导区(3)和输出平板波导区(4) 中的长度差;输入平板波导区(2)和输出平板波导区(4)的波导上包层材料的选取由阵列波导区 (3)中的波导材料、波导结构和设计中对偏振色散补偿的要求共同决定;输入平板波导区(2)、 输出平板波导区(4)和阵列波导区(3)的几何形状由阵列波导区(3)中的波导材料、波导结构和设 计中对偏振色散补偿的要求共同决定,即对于所设计波长范围内的中心波长λ0,有ΔL=ΔL0, 中心波长偏振不敏感的条件为λem0,则平板波导区和阵列波导区中的长度差ΔL0和ΔLa之间的关系表示为

ΔL0ΔLa=(1+im)nam(λ0)-nae(λ0)2nse(λ0)-2(1+im)nsm(λ0)]]>

从上式可以看出,一旦确定了m和i,输入平板波导区(2)、输出平板波导区(4)和阵列波导区 (3)的几何形状也将被确定;从而达到对阵列波导光栅各输出通道波长的均匀偏振色散补偿要 求。

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