[发明专利]铁或不锈钢表面镀钛膜的方法无效
申请号: | 201110206307.3 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102220558A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 黄双华;邹敏;赖奇;蓝德均 | 申请(专利权)人: | 攀枝花学院 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/16 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 武森涛 |
地址: | 617000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 不锈钢 表面 镀钛膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及钛膜的制备方法,属于金属表面处理技术领域。
背景技术
钛是一种银白色金属,它具有密度小(比钢轻40%)、比强度高、耐腐蚀、无毒等优点,并且属于生理惰性金属,与人体接触无致敏、致癌、致畸变现象,可与骨组织、上皮、结缔组织很好地结合,而且是生物相容性最好的金属材料。
但由于钛的冶金和材料加工还存在较大的困难,成本很高,使得金属钛难以在民用和工业上大量应用。目前,被大量民用和工业用的抗环境腐蚀材料是各种不同型号的不锈钢;然而在一些环境污染严重的地方,即使如抗蚀性能优良的304也会生锈。另外,在医学领域,不锈钢也被大量用作骨骼修补材料,其生物相容性和生理毒性也并不很理想。
因此,人们想到将不锈钢和金属钛进行复合,即可在作为主体的不锈钢材料表面沉积一层金属钛,那么得到的镀钛不锈钢材料不但其抗蚀性能优于普通不锈钢,而且具有较好的生物相容性,使得其能够在医学领域上应用;进而使钛材能够在民用上得到大量推广。
目前铁、不锈钢的表面处理工艺主要是电镀或化学镀。化学镀主要用于在金属表面进行防腐染色处理,例如专利CN1311349报道的化学镀液,公开了化学镀液配方包括硫酸镍、次亚磷酸钠、醋酸钠、有机羧酸、六个碳原子以下的氨基酸、碘化钾或碘酸钾等多种化学试剂,主要解决目前在化学镀镍技术中存在的镀速偏低、镀液稳定性差、镀液的成本高等问题,但化学镀方法采用的化学试剂多,会产生大量工业废水,污染严重。
采用电镀的可镀物质较为广泛,如专利CN1389598报道了一种具有高效防腐蚀性能和镜面光亮装饰性保护层的电镀方法,该方法可镀覆在钢铁、锌及铝合金基材上;其技术比较成熟,缺点是镀层较厚,投入大,污染严重。加之电镀厂投资大,一般投资者也只能望而却步。
对于化学镀和电镀的上述缺陷,中国专利申请CN 101768721A公开了采用中频磁控溅射物理气相沉积技术在不锈钢基底上镀硼碳氮膜的方法,以此提高不锈钢在离子液体润滑条件下的抗磨和抗腐性能;具体方法为:a将预先清洗后的不锈钢片超声清洗,然后在去离子水冲洗吹干,置于真空室;抽真空到腔内真空度小于3*10-3Pa;b通入Ar气至1Pa,基底加脉冲偏压为-600V,导通比为0.8;c采用高纯氮气和氩气为反应溅射气体,分别溅射石墨靶和硼靶制备BCN薄膜;Ar流量120sccm,N2流量80sccm,沉积气压为1Pa,沉积功率约为1000W,基底偏压在-200V之间,不锈钢片与靶的距离为150mm,沉积时间为100-150min。该方法容易操作,避免了化学镀和电镀污染严重等缺点。
本发明对采用等离子体物理溅射气相沉积技术镀钛膜在提高钛膜结合力方面作了进一步的研究。
发明内容
本发明提供了一种在铁或不锈钢表面镀钛膜的方法,所得钛膜结合力高。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:
铁或不锈钢表面镀钛膜的方法,采用等离子体物理溅射气相沉积技术,其特征在于,在溅射镀钛过程中加热,加热温度控制为50-450℃。
优选的,上述加热温度控制为100-400℃,更优选250℃。
优选的,上述铁或不锈钢表面镀钛膜的方法中,溅射镀钛过程中基底施加脉冲偏压,基底脉冲偏压为60-280V,优选60-240V,更优选60-120V。
本发明的有益效果:
本发明为铁或不锈钢基材镀高结合力钛膜提供了一种新的方法。本发明采用等离子体气相沉积技术,将钛等离子体化,以铁或不锈钢为基底,在基底上直接沉积一层钛薄膜,从而制得了高耐腐蚀、高结合力的镀钛的不锈钢基复合材料。本发明利用等离子体气相沉积技术具有设备简单、工艺成熟、沉积温度低、成膜均匀等特点;制备的薄膜均匀致密,薄膜与基底的结合良好。
具体实施方式
本发明提供了一种铁或不锈钢表面镀钛膜的方法,采用等离子体气相沉积技术,在溅射镀钛过程中加热,加热温度控制为50-450℃。优选的,上述加热温度控制为100-400℃,更优选250℃。
上述溅射一般是固态靶材在高能离子/原子轰击下靶材原子团发生物理转移的过程,被溅射的靶材在高能粒子轰击下,有一定数量的原子或原子团脱离靶体并获得一定的动能,飞向薄膜生长面,从而实现薄膜的生长。简单来讲就是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片;氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于攀枝花学院,未经攀枝花学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110206307.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类