[发明专利]一种腔内倍频激光器的激光晶体结构

权利要求书

1.一种腔内倍频激光器的激光晶体结构，包括多个层结构，其特征是，依次为入射端的光学介质膜层、未掺杂晶体层、掺杂晶体层、未掺杂晶体层、倍频晶体层和输出端的光学介质膜层。

2.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构，其特征是，未掺杂晶体层、掺杂晶体层、未掺杂晶体层、倍频晶体层厚度依次为0.1-6mm，0.1-30mm，0.1-6mm，0.1-6mm。

3.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构，其特征是，所述的掺杂晶体层和倍频晶体层通过光胶粘合在一起。

4.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构，其特征是，所述的未掺杂晶体层和掺杂晶体层的基质晶体是同种晶体或不同种晶体，分别选自YAG晶体、YVO₄晶体、GdVO₄晶体、YAP晶体、YLF晶体中的一种。

5.根据权利要求1或4所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构，其特征是，所述的掺杂晶体层的掺杂离子选自Nd³⁺，Er³⁺，Ho³⁺，Ce³⁺，Tm³⁺，Pr³⁺，Gd³⁺，Eu³⁺，Yb³⁺，Sm²⁺，Dy²⁺，Tm²⁺，Cr³⁺，Ni²⁺，Co²⁺，Ti³⁺，V²⁺中的一种。

6.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构，其特征是，所述的倍频晶体层选自KTP晶体、LBO晶体、BBO晶体、LiNbO₃晶体中的一种。