[发明专利]一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法

权利要求书

1.一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，包括如下步骤：

1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；

2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为1200-1400Pa；

3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至400～550℃；然后对所述溅射有Au薄膜的Si基片以0.2-0.6℃/min进行降温，降温时间为30～120min；

4)降温时间结束后，继续通载气自然降温。

2.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤1)中，所述Au薄膜的厚度为1.5～15nm。

3.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤2)中，所述蒸发源为GeTe合金粉。

4.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤2)中，所述水平管式炉抽真空至120～150Pa。

5.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤3)中，所述溅有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向且距炉体边缘为3.5～6cm处。

6.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤3)中，当炉中部管温升至400-550℃时，控制溅有Au薄膜的Si基片的温度为305-420℃。

7.如权利要求1所述的无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤2)及步骤4)中，所述载气为氩气。