[发明专利]一种甘菊繁殖方法

权利要求书

1.一种甘菊繁殖的方法，包括以下步骤：

1)将甘菊种子接种于种子萌发培养基上进行无菌幼苗培养，萌生为无菌幼苗；

2)将无菌幼苗的下胚轴作为外植体，接种于愈伤组织诱导培养基上进行愈伤组织诱导培养，诱导生成愈伤组织；

3)将诱导生成的愈伤组织接种于不定芽分化培养基上进行不定芽的诱导分化培养，培养得到不定芽；

4)将不定芽接种于生根培养基上进行生根培养，诱导培养不定根，获得生根苗；

5)将生根苗进行炼苗、移栽，即得。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤1)中所述的种子萌发培养基是MS基本培养基+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH值为6.18。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤2)中所述愈伤组织诱导培养基是：MS基本培养基+2，4-二氯苯氧基乙酸0.5-1.5mg/L+6-苄氨基腺嘌呤0.1-1.0mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH值为6.18。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤3)中所述不定芽分化培养基是：MS基本培养基+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH值为6.18。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤4)中所述不定根诱导培养基是：大量元素减半的1/2MS基本培养基+萘乙酸0.1-0.3mg/L+蔗糖30g/L+琼脂6g/L，pH值为6.18。

6.如权利要求1所述方法，其特征是步骤1)中所述接种之前先将甘菊种子在体积百分比浓度为70％的乙醇溶液中浸泡20-30s，用无菌水冲洗3-5次，再用体积百分比浓度为2.5％的次氯酸钠溶液消毒10-15min，用无菌水冲洗3-5次。

7.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤1)中所述无菌幼苗培养在以下条件下进行：黑暗条件，培养温度为22±1℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤2)中所述愈伤组织诱导培养在以下条件下进行：黑暗条件，培养温度为22±1℃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤3)中不定芽分化培养、步骤4)生根培养在以下条件下进行：培养温度为22±1℃，光照强度为2000lx，光照周期为14-16小时光照/8-10小时黑暗。

10.如权利要求1所述的方法，其特征是步骤5)中所述的炼苗移栽包括如下顺序进行的步骤：移栽前打开培养瓶的瓶盖，在组培室中炼苗1天；然后将生根的小苗取出，用自来水洗净试管苗根部残留的琼脂培养基，移栽到甘菊无土栽培基质中培养，在温度为20±1℃、相对湿度为50-80％、光照强度为3000lx、光照周期为16小时光照/8小时黑暗，培养一个月；接着，在温度为20±1℃、相对湿度为50-80％、光照强度为3000lx、光照周期为12小时光照/12小时黑暗条件下培养至甘菊开花。