[发明专利]液晶配向架构

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶配向架构。

背景技术

VA(Vertical Alignment，垂直配向)的研究，最早由Appl，Phys，Letters于1971年提出，普通VA模式的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)一般在CF(color filter，彩色滤光片)侧基板和TFT(Thin film Transistor，薄膜场效应晶体管)侧基板上采用了Protrusion(凸起)或者ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)Slit(狭缝)。VA型配向膜的作用使液晶分子在不加电压的情况下呈现接近垂直于面板表面的方向排列，在凸起结构周围垂直于凸起结构表面排列。而当液晶层的两侧加上电压以后，液晶分子的取向发生偏转，通过控制液晶层两侧的电压就可以控制液晶分子的取向偏转角度，从而实现对透射光的强弱的调制，在普通的MVA模式中，凸起结构就是给了液晶分子指定了一个转向的方向，而避免液晶分子在施加电压以后杂乱无章的转向。

为了改善视角，现在的VA显示模式一般采用4Domain(区域)结构，如图1所示，图中，黑色线条表示CF侧的Slit，灰色线条表示TFT侧的Slit。图2示出了传统MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多域垂直配向)显示模式液晶配向架构的结构，位于下层的TFT侧基板1上形成有ITO层3，该ITO层3设有狭缝4，位于上层的CF侧基板2上设有凸起5，液晶分子6夹在TFT侧基板1和CF侧基板2之间；图3示出了传统PVA(Patterned Vertical Alignment，垂直取向构型)显示模式液晶配向架构的结构，位于下层的TFT侧基板1和位于上层的CF侧基板2上均形成有ITO层3，该ITO层3设有狭缝4，液晶分子6夹在TFT侧基板1和CF侧基板2之间。

对于现在的VA模式一般采用ITO Slit来形成配向结构，这种以ITO层经过蚀刻形成的Slit在工艺上存在很多的弊端：

(1)一般面板厂家为了节省成本，会尽量采用较低膜厚的ITO成膜，而膜厚较低，加上刻蚀时侧蚀现象，蚀刻量会难以控制，结果是形成的Slit与设计相差甚远，导致各种显示不良；

(2)为了使Slit更好的形成，制程要求有比较平缓的蚀刻坡度角，从而对ITO膜质和膜厚要求比较高，从制程的理念来说，就意味着ITO成膜需要更高温度，ITO的膜厚也要求较厚，而高温成膜和较厚膜厚成膜都容易发生ITO结晶现象，从而对蚀刻有很大影响，不仅是蚀刻速率慢，成本较高，而且成膜过程中产生的ITO结晶非常容易产生蚀刻残留。

发明内容

发明目的：针对上述现有存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种降低ITO Slit蚀刻工艺难度的液晶配向架构。

技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为一种液晶配向架构，包括基板；形成于所述基板上的平坦层，所述平坦层上设有若干狭缝；形成于所述平坦层上表面的ITO层。

所述平坦层可为厚度大约3μm的有机平坦层，也可为无机平坦层，如SiO2(二氧化硅)平坦层等。

所述狭缝的宽度可为3μm至55μm，中心深度可在0.5μm至2μm之间。

所述平坦层的曝光方式可为半灰阶曝光(Half Tone)或多灰阶曝光(Gray Tone)。

有益效果：本发明用有机平坦层形成Slit结构，再在形成Slit结构的有机平坦层上形成ITO层，优点如下：有机平坦层相对较厚(一般在3μm左右)，通过改进Array Mask(阵列光罩)的设计(可利用Half Tone或者Gray Tone的模式)和调整黄光工艺，控制曝光能量和显影时间以及烘烤温度，获取最佳的Slit度和Slit深度；有机平坦层的价格较低，可以有效降低成本；有机平坦层能有效增加面板开口率；有机平坦层用显影的方式就可以直接去掉，相对于ITO蚀刻制程来说非常方便，工艺上容易实现。

附图说明

图1为传统VA显示模式的4Domain结构示意图；

图2为传统MVA显示模式液晶配向架构的结构示意图；

图3为传统PVA显示模式液晶配向架构的结构示意图；

图4为本发明在TFT侧的液晶配向架构的结构示意图；

图5为采用一般全透过的曝光方式的有机平坦层的结构示意图；

图6为本发明在CF侧的液晶配向架构的结构示意图。

具体实施方式