[发明专利]电容式位移传感器无效

专利信息
申请号: 201110177727.3 申请日: 2011-06-28
公开(公告)号: CN102735150A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 鲁道夫.赛曼 申请(专利权)人: 埃尔拉德国际公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02;G01D5/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 侯宇
地址: 斯洛文尼*** 国省代码: 斯洛文尼亚;SI
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电容 位移 传感器
【权利要求书】:

1.一种带有可设置在电路板(12)上的壳体(14)的电容式位移传感器(10),其特征在于,在所述壳体(14)中构造有用于至少能沿一个空间方向(A)移动支承的滑动件(18)的容纳部(16),所述容纳部(16)具有参考区域(20),在该参考区域(20)内,所述滑动件(18)与位移(a)无关地在布置在所述滑动件(18)的第一侧(18a)上的板状接地电极(22)和布置在所述滑动件(18)的、与所述第一侧(18a)对置的第二侧(18b)上的板状参考电极(24)之间导引,并且

所述容纳部(16)具有与所述参考区域(20)相邻的测量区域(30),在该测量区域(30)内,所述滑动件(18)在设置在所述滑动件(18)的所述第一侧(18a)上的板状接地电极(22)和设置在所述滑动件(18)的所述第二侧(18b)上的板状测量电极(32)之间导引,其中,所述滑动件(18)与所述位移(a)有关地至少伸入所述测量区域(30)的子区域(30a)中。

2.如权利要求1所述的位移传感器(10),其特征在于,布置在所述参考区域(20)内的所述接地电极和布置在所述测量区域(30)内的所述接地电极由一体式构造的、公共的接地电极(22)形成。

3.如权利要求1或2所述的位移传感器(10),其特征在于,所述参考电极(24)和所述测量电极(32)布置在同一平面内并且通过绝缘装置(40)相对彼此电绝缘。

4.如权利要求1至3之一所述的位移传感器(10),其特征在于,在所述滑动件(18)和所述接地电极(22)之间设置第一绝缘层(42)。

5.如权利要求1至4之一所述的位移传感器(10),其特征在于,在所述滑动件(18)和所述参考电极(24)之间以及在所述滑动件(18)和所述测量电极(32)之间设置连续的第二绝缘层(44)。

6.如权利要求1至5之一所述的位移传感器(10),其特征在于,所述接地电极(22)直接设置在所述壳体(14)上并且与至少一个朝所述电路板(12)方向突出的连接引脚(22a;22b)连接,

所述壳体(14)上的容纳部(16)由沿所述电路板(12)方向开口的容纳通道构成,

在所述电路板(12)上构造有两个通过所述绝缘装置(40)相互电绝缘的、相邻的电极面,其中,一个所述电极面形成所述参考电极(24),而另一个所述电极面形成所述测量电极(32)。

7.如权利要求1至6之一所述的位移传感器(10),其特征在于,所述滑动件(18)具有方形的基体(19),该基体延伸到所述参照区域(20)和所述测量区域(30)中。

8.如权利要求1至7之一所述的位移传感器(10),其特征在于,所述滑动件(18)的基体(19)由金属,尤其是由铝构成。

9.一种电路装置,具有如权利要求1至8之一所述的位移传感器(10),其特征在于,所述接地电极(22)与地电位(GND)连接;所述参考电极(24)和所述测量电极(32)与微处理器(50)的接口连接,其中,这样设计所述微处理器(50),使得该微处理器(50)基于对在所述参考电极(24)和所述接地电极(22)之间存在的参考电容(Cref)与在所述接地电极(22)和所述测量电极(32)之间根据所述滑动件(18)在所述位移传感器(10)的测量区域(30)内的位移(a)形成的、与位移有关的电容(Cweg)的比较产生与位移有关的信号(S)。

10.如权利要求9所述的电路装置,其特征在于,所述微处理器(50)与输出电路(52)连接,这样设计所述输出电路,使得该输出电路(52)根据由所述微处理器(50)产生的、与位移有关的信号(S)发出一模拟的电压(Vanalog)。

11.如权利要求10所述的电路装置,其特征在于,所述输出电路(52)与一根据所述滑动件(18)在所述位移传感器(10)的所述测量区域(30)内的位移(a)调节的电子设备(60)连接。

12.一种电子设备,带有如权利要求9至11之一所述的电路装置,其特征在于,所述滑动件(18)借助于机械传动装置与所述电子设备的操纵元件连接,其中,所述操纵元件的运动能够传递到所述滑动件(18)上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃尔拉德国际公司,未经埃尔拉德国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110177727.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top