[发明专利]侧面可浸润半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装并且特别地涉及一种半导体器件，其具有焊料可浸润侧壁或侧面，以便于在使用表面安装技术(SMT)工艺将半导体器件安装在基板或电路板上时检查焊点。

背景技术

由于诸如QFN(四方扁平无引脚)封装的半导体器件采用划片刀切单的方式，使得暴露的引线框架侧面的表面与模制化合物平齐，从而焊料不容易攀附或“吸附”在封装的侧面或侧壁，这意味着QFN封装不是侧面可浸润的。

图1是装配QFN器件的常规装配工艺的流程图。该常规工艺包括晶圆安装和划片步骤10，随后是管芯键合步骤11以及丝线键合步骤12，在步骤11中，管芯键合到引线框架的标志处，在丝线键合步骤12中，管芯电连接到引线框架的引脚。引线框架通常由铜形成并可以镀有其他金属，如钯(PPF)或者银(Ag)。在丝线键合步骤中，利用键合丝线将管芯键合焊盘与引线框架焊盘连接。所述键合丝线可以是金、铜、铝等等。之后将该组件在步骤13中用模制化合物进行包封，随后是激光标记或去胶带(de-tape)步骤14。如果采用了镀银引线框架，则在步骤15中进行进一步的镀锡或锡合金(Sn)。最后，单个QFN器件通过切单步骤16形成。然后视检切单后的QFN器件并封装用于装运。

图2是诸如经由上述方法利用铜引线框架组装的常规QFN器件的部分截面图。由于暴露但是与QFN器件的侧壁平齐的未处理的铜表面20，使得QFN器件在其侧面是不可浸润的。

鉴于上述，需要一种QFN器件，其在侧壁或侧面是焊料可浸润的，以便于在使用SMT工艺将封装安装到诸如印刷电路板(PCB)时检查焊点。

附图说明

结合附图将更好地理解本发明的优选实施例的以下详细描述。通过示例的形式示出本发明，并且本发明不限于附图。在附图中，相似的附图标记指代相似的元件。应该认识到附图并非按比例的，并且为了容易理解而对本发明进行了简化。

图1是用于装配QFN半导体器件的常规工艺的流程图；

图2是由图1的工艺制造的常规QFN器件的局部扩大截面图；

图3是根据本发明的装配QFN半导体器件的工艺的流程图；

图4-7示出了由图3的工艺装配的QFN器件的放大截面图；以及

图8示出了由图3的工艺装配的QFN器件的放大截面图。

发明内容

根据本发明，提供一种用于制造侧面可浸润的半导体器件的工艺，包括：提供引线框架或基板面板；使用第一切割工具部分至少部分地底切引线框架或基板面板以暴露所述引线框架的侧面；以及在将引线框架或基板面板切单为单个半导体器件之前，向所述暴露的侧面施加锡或锡合金的涂敷。

该工艺可以包括在施加锡或锡合金涂敷之前，电气互连与相邻半导体器件关联的引线框架侧面。引线框架侧面可以通过丝线键合步骤进行电气互连。

该工艺可以包括将基板面板切单为单个半导体器件，其中切单步骤包括用第二切割工具切割基板面板来将面板分离为单个半导体器件。第二切割工具优选地比第一切割工具窄。锡涂敷可以通过电镀或电沉积来执行。

本发明还提供一种由上述方法装配的划片QFN半导体器件。

具体实施方式

现在参考图3，根据本发明的装配QFN半导体器件的工艺包括晶圆安装和划片步骤30，随后是管芯键合步骤31。步骤30和31相当于参考图1描述的常规工艺的步骤10和11，并且因此是本领域公知的。

步骤31之后是丝线键合步骤32，其与常规丝线键合步骤12的不同之处在于不但将管芯键合焊盘连接到引线框架的引脚，还采用连接丝线电气互连相邻QFN器件之间的引线框架引脚。

图4示出了丝线键合步骤32，其示出了连接丝线40、41将相邻管芯42、43上的管芯键合焊盘连接到引线框架44的引脚44a和44b。图4还示出电气互连引脚44a和44b的附加连接丝线45。引脚44a和44b将在切单步骤37之后形成相邻QFN器件的引脚，将在下面描述切单步骤37，其将引线框架面板分离为单个半导体器件。附加连接丝线45的目的在于在镀锡步骤36过程中将引脚44a和44b保持在相似的电势。

丝线键合步骤32之后是包封或模制步骤33，其中和现有技术一样，利用模制化合物46覆盖引线框架和管芯组件。在模制步骤33之后，执行激光标记或去胶带(de-tape)步骤34。步骤33和34相当于参考图1描述的常规工艺中的步骤13和14。