[发明专利]采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，属于C30B单晶生长领域。

背景技术

降温法育晶装置是从溶液中培育单晶的一类重要装置，在张克从等编著的“晶体生长科学与技术”(第二版，上册)第204页至208页对各类降温法育晶装置有详细的介绍，该书由科学出版社于1997年出版，在各类降温法育晶装置中，双浴槽降温法育晶装置具有突出的优点，在上述专著的第206页的图3.20中展示了双浴槽降温法育晶装置的构造，该装置的结构可以扼要地描述如下：该装置主要结构包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口。该育晶装置中的桶状育晶器是单晶培育区。

在该育晶装置外浴槽接通冷却水的情形下，能够基本消除室温波动的影响，这种装置能满足培育高完整性单晶的需要。

如果我们仔细观察该双浴槽降温法育晶装置的结构，就可以清楚地了解到，夹在育晶桶与外浴槽之间的内浴槽，其断面呈圆环形，现有技术中的装设于该内浴槽中的搅拌器均为叶片式搅拌器，该叶片式搅拌器对于这样一种其横断面呈圆环形的内浴槽结构而言，很明显，它的搅拌方式与内浴槽的特殊结构无法相适应，因而，它的搅拌效能无法得以充分施展，换句话说，基于内浴槽的特殊构造形态，内浴槽里装设的叶片式搅拌器，其搅拌方式，不利于有效地激起内浴槽中的液体的整体性的快速、充分的流动、拌和，由此，可能影响双浴槽降温法育晶装置的实际效能。

另一方面，内浴槽中装设的电热元件体积比较庞大，该体积庞大的电热元件横亘于内浴槽的狭窄空间中，对于内浴槽中的流体的流动、拌和也构成一种阻碍作用，不利于内浴槽中均衡温度状态的形成。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对上述的现有搅拌方式与所述内浴槽结构不能充分适应的技术问题，以及，内浴槽狭窄空间中装设的大体积电热元件妨碍内浴槽中液体流动、拌和的技术问题，研发一种能够一揽子地化解上述两个技术问题的新型双浴槽降温法育晶装置。

本发明通过如下方案解决所述技术问题，该方案提供一种采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，该装置包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口，在内浴槽位置装设有搅拌器，本案要点是，装设于内浴槽位置的搅拌器是集成了电热元件的射流式搅拌器，该集成了电热元件的射流式搅拌器其结构包括一台自吸泵，以及，射流组件，该射流组件是一个带有内部腔室的构件，该射流组件具有一个进水接口以及出水喷射口，所述内部腔室同时与所述射流组件的进水接口以及出水喷射口联通，所述自吸泵的出水接口与该射流组件的进水接口联通，所述自吸泵的进水接口与集流组件联通，该集流组件是具有流体收集口的管状物，所述流体收集口上装设有过滤网，在所述射流组件的内部腔室中装设有电热元件，该电热元件是带有绝缘层及金属保护套的电阻式电热元件，所述射流组件的出水喷射口以及所述集流组件的流体收集口均架设在所述内浴槽的内部。

所述自吸泵一词，其本身的技术含义是公知的。

所述电热元件一词，其本身的技术含义是公知的；所述电阻式电热元件一词，其本身的技术含义是公知的；所述电热元件形态繁多；所述电热元件市场有售。

所述出水喷射口的形状可以是任何选定的形状，所述出水喷射口的形状例如圆形、方形、矩形、椭圆形、锯齿形，等等，优选的出水喷射口的形状是呈扁平形状。

所述出水喷射口的数量不限，所述出水喷射口的数量可以是一个、两个、三个、四个、五个，等等，也可以多至数十个，等等。

所述出水喷射口的朝向可以是任何设定的方向；所述出水喷射口的优选朝向是平行于水平面。

当所述出水喷射口的数量在一个以上时，各个出水喷射口的朝向既可以相同，也可以各不相同，也就是说，该情形下，允许各个出水喷射口分别朝向不同的方向。

所述流体收集口的数量不限，所述流体收集口的数量可以是一个、两个、三个、四个、五个，等等，也可以多至数十个，等等。

本案装置的结构，还可以包括与自吸泵相连接的电源线，以及，与该电源线相连接的电源开关。

本案的装置结构，也可以包括与所述自吸泵装设在一起的调速构件。所述自吸泵以及所述调速构件市场有售，或可改装使用。