[发明专利]晶片的减薄方法有效
| 申请号： | 201110152394.9 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820218A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 方法 | ||
1.一种晶片的减薄方法，包括：
将待减薄的晶片固定到处理晶片的表面上；
对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第一厚度；
在所述待减薄的晶片的表面形成覆盖其中心区域的光刻胶层；
去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片；
去除所述光刻胶层；以及
对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第二厚度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用研磨方法对所述待减薄的晶片进行减薄。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一厚度为100-150 。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的形成方法包括：
在所述待减薄的晶片的整个表面涂覆光刻胶；以及
边洗去除所述待减薄的晶片表面上边缘区域的光刻胶，以形成覆盖所述中心区域的所述光刻胶层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的边缘与所述待减薄的晶片的边缘之间的距离小于等于3mm。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的边缘与所述待减薄的晶片的边缘之间的距离为0.5-3mm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片的方法为单面湿法刻蚀。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述单面湿法刻蚀是向所述光刻胶层表面中央或接近中央的区域喷涂刻蚀剂，且在所述喷涂过程中使所述待减薄的晶片旋转。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二厚度小于100。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二厚度为20-50。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
