[发明专利]增强型多电平存储器

说明书

技术领域

本文中所揭示的标的物涉及半导体存储器，且更特定来说涉及多电平非易失性存储器。

背景技术

存储器装置用于许多类型的电子装置中，例如计算机、蜂窝电话、PDA、信息记录器及导航设备，此处仅列举几个实例。在此类电子装置当中，可采用各种类型的非易失性存储器装置，例如NAND或NOR快闪存储器、SRAM、DRAM及相变存储器，此处仅列举几个实例。一般来说，可使用写入或编程过程将信息存储于此类存储器装置中，而可使用读取过程来检索所存储的信息。

举例来说，可编程存储器的存储密度可通过按比例缩小存储器单元的物理大小以减少其空间占用并允许在集成有所述存储器的裸片上的同一硅区域上形成较大数目的存储器单元来增加。另一种提升存储密度的方式可涉及采用所谓的“多电平”编程方案，其中存储器单元可能够存储一个以上信息位。特定来说，通过采用此多电平编程方案，可将存储器单元编程为若干个不同编程状态中的任何一者，每一状态与对应逻辑值相关联。存储器单元的编程状态可由所述存储器单元中所包含的晶体管的阈值电压值来界定。举例来说，对于适于存储两个位的存储器单元，所述存储器单元的阈值电压值可采取四个不同值中的一者。在特定实例中，此所存储位对的逻辑值可对应于二进制序列“11”、“10”、“01”、“00”，其对应于增加的阈值电压值。此处，逻辑值“11”可与具有最低阈值电压值的状态(经擦除状态)相关联，且其它状态可依序与具有增加的阈值电压值的状态相关联。然而，由于此存储器可固有的实质上不可避免的容限，替代被准确地编程到四个所要值中的一者，经编程存储器单元的阈值电压可分布在四个相应编程分布(也称为“群体”)当中。因此，举例来说，每一编程状态可能不与单个阈值电压相关联，而是可与相应阈值电压范围相关联，所述阈值电压范围又由相应编程分布来界定。

附图说明

将参考以下各图描述非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另外说明，否则所有各图中相似参考编号指代相似部件。

图1是根据一实施例的存储器装置的示意性框图。

图2A是根据一实施例的编码单元的框图。

图2B是根据一实施例的线性组合器单元的框图。

图2C是根据一实施例的线性组合器的格子图。

图3是展示根据一实施例的编程分布及此些分布的分区的图示。

图4是根据另一实施例的格子图。

图5A是根据一实施例的感测电路的示意图。

图5B是根据一实施例的感测电路的时序图。

图6是根据一实施例的解码单元的示意性框图。

图7A是展示根据一实施例的编程分布及此些分布的度量函数的图示。

图7B是根据一实施例实施度量函数的查找表。

图7C是展示根据一实施例的编程分布及度量值的图示。

图8是根据另一实施例的格子图。

图9A是根据另一实施例的编码单元的框图。

图9B是根据另一实施例的线性组合器单元的框图。

图9C是展示根据一实施例分割成若干子集的编程的示意图。

图10是根据一实施例的计算系统及存储器装置的示意图。

具体实施方式

本说明书通篇中所提及的“一个实施例”或“一实施例”意指结合所述实施例描述的特定特征、结构或特性包含在所主张标的物的至少一个实施例中。因此，在本说明书通篇中的各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“一实施例”未必全部指代相同实施例。此外，可将特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施例中。