[发明专利]晶圆表面局部定位采样方法无效
申请号: | 201110133140.2 | 申请日: | 2011-05-23 |
公开(公告)号: | CN102194726A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 叶伟清 | 申请(专利权)人: | 叶伟清 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 局部 定位 采样 方法 | ||
1.一种半导体晶圆表面局部定位采样方法,其特征在于:利用定位采样触头对晶圆表面进行采样;采样步骤如下:
(1)采样前对晶圆表面进行数据测试,确定污染物的分布区域;
(2)定位采样触头输出采样药液;
(3)采样药液对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行采样;
(4)采样后回收含污染物的药剂;
所述定位采样触头为双层结构,在触头内层结构安装采样液输出管道和采样液回收管道;外层结构为一套管,套装在触头内层结构的外部周围,并与内部结构之间具有缝隙,所述缝隙形成气体导管;
对100%亲水面或有局部亲水面的晶圆表面进行采样操作时,在所述气体导管中注入高速气体;对100%疏水性晶圆表面进行采样操作时,所述气体导管中不注入气体;
所述采样触头安装触头臂上,触头臂依照采样前的数据测试所得污染分布数据结果在采样开始时移动至污染区域。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:定位采样触头中的采样药剂由计量泵提供;采样药剂在计量泵作用下依靠液体的表面张力在触头顶端形成液滴结构。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:采样过程在上下方向移动自如的升降器上进行。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:机械手把晶圆放置于所述升降器上;放置后升降器下降,从而把晶圆设置于回转自如的支承晶圆的盘体上;同心调整机构把晶圆圆心对准盘体圆心;晶圆旋转并带动固定在盘本体下侧的三个转轮一起转动;所述同心调整机构使晶圆保持水平、同心转动。
5.如权利要求1-4所述的方法,其特征在于:晶圆的旋转速度、采样触头起始半径和终止半径、采样液滴扫描送程节距、采样扫描区域、气体的排放量、药液和纯水的输出和回收量由计算机控制。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:采样扫描区域正方形、矩形、弧形、环形、扇形、圆形中的任意一种。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于:采样方法通过触摸屏菜单进行选择,或者通过触摸屏输入等待下次选用。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于:对污染区域采样结束后,采样液滴回收到采样计量瓶中,完成一次采样的药剂用量为100-200微升/次。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于:计量瓶中的采样液滴能够需要进行稀释,稀释方法为将纯水注入至计量瓶上所要求的刻度。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于:所述采样污染物包括金属离子污染物、非金属离子污染物。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于:所述金属污染物包括:Li、Be、Na、Mg、Al、K、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Sr、Y、Ag、Cd、Ba、Pb、Bi、Ce;所述非金属离子污染物包括:F-、Cl-、NO3-、SO42-、NH4+。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于:分析精度可以达到ICP-MS分析下限0.5x109atoms/cm2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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