[发明专利]晶片处理装置和晶片处理方法

权利要求书

1.一种晶片处理装置，包括传输平台，所述传输平台包括用于传输晶片的腔体和设置于所述腔体内部的承载单元，所述承载单元用于承载晶片，其特征在于，所述装置还包括：气体管路，所述气体管路设置于所述腔体上，且所述气体管路用于向所述腔体内部提供吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于，所述传输平台包括真空传输腔室，且所述用于传输晶片的腔体为所述真空传输腔室的腔体，且所述承载单元包括机械手和设置于所述机械手上的晶片托盘。

3.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于，所述传输平台包括装卸载腔室，所述用于传输晶片的腔体为所述装卸载腔室的腔体，且所述承载单元包括晶片料盒。

4.根据权利要求1至3任一所述的晶片处理装置，其特征在于，所述气体管路设置于所述腔体的顶部，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体顶部进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。

5.根据权利要求1至3任一所述的晶片处理装置，其特征在于，所述气体管路设置于所述腔体的侧面，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体侧面进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。

6.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于，所述气体管路上设置有用于调节所述吹扫气体的流量的流量控制单元，且所述流量控制单元位于靠近所述气体管路的进气口的位置。

7.根据权利要求6所述的晶片处理装置，其特征在于，所述气体管路上还设置有气体流量计，所述气体流量计用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的流量值，以供所述流量控制单元根据测量出的流量值对所述吹扫气体的流量进行调节。

8.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于，所述气体管路上设置有温度测量单元，所述温度测量单元用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的温度值，以使所述气体管路根据测量出的温度值向所述腔体内部提供温度为预设温度的吹扫气体，所述预设温度为所述吹扫气体根据反应腔室中所要进行的工艺处理的类型而被加热或冷却后的温度。

9.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于，所述吹扫气体为惰性气体。

10.一种应用于权利要求1-9任一晶片处理装置的晶片处理方法，其特征在于，包括：

将晶片传输进所述腔体；

在预设时间内通过所述气体管路向所述腔体内部提供的吹扫气体对所述晶片进行吹扫；

将晶片传输出所述腔体。