[发明专利]一种特殊的去Y电容的电磁兼容的方法有效

专利信息
申请号: 201110091199.X 申请日: 2011-04-13
公开(公告)号: CN102226967A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 顾永德;陈克峰;王本欣 申请(专利权)人: 深圳茂硕电子科技有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/30;H02M1/12
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 胡坚
地址: 518108 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 特殊 电容 电磁 兼容 方法
【权利要求书】:

1.一种特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的方法为采用特殊绕制的变压器作为主功率变换模块变压器,所述的特殊绕制的变压器包括线圈支架、初级绕组、次级绕组和反馈绕组,初级绕组分为两层绕制,两层初级绕组分别为第一初级绕组和第二初级绕组,第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制在线圈支架上,第一初级绕组设置在最内层,第二初级绕组设置在最外层,次级绕组和反馈绕组设置在第一初级绕组和第二初级绕组之间,次级绕组和反馈绕组与第一初级绕组和第二初级绕组之间分别绕制有屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一初级绕组设置在最内层,第一初级绕组外侧设有第一屏蔽层,第一屏蔽层外侧设有次级绕组,次级绕组外侧设有反馈绕组,反馈绕组外侧设有第二屏蔽层,第二屏蔽层外侧设有第二屏蔽层,第二屏蔽层外侧设有第二初级绕组。

3.根据权利要求2所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一初级绕组与第一屏蔽层之间、第一屏蔽层与次级绕组之间、次级绕组与反馈绕组之间、反馈绕组与第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层与第二初级绕组之间分别设有绝缘胶带。

4.根据权利要求3所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一初级绕组与第一屏蔽层之间、反馈绕组与第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层与第二初级绕组之间的绝缘胶带设有两层。

5.根据权利要求3所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一屏蔽层与次级绕组之间以及次级绕组与反馈绕组之间的绝缘胶带设有三层。

6.根据权利要求2所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第二初级绕组外侧设有绝缘胶带。

7.根据权利要求6所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第二初级绕组外侧的绝缘胶带设有三层。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一初级绕组和第二初级绕组绕制的圈数相同。

9.根据权利要求1至7中任意一项所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的次级绕组和反馈绕组采用多根铜线并列均匀绕制,不可叠加绕制,并且刚好绕满一整层。

10.根据权利要求1至7中任意一项所述的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法,其特征是:所述的第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制有两层,第一初级绕组和第二初级绕组中间位置分别设有挡墙,第一初级绕组和第二初级绕组分别采用两线相对绕制,均由外侧向内绕至中间挡墙后再返回外侧变压器出线引脚处。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳茂硕电子科技有限公司,未经深圳茂硕电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110091199.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top