[发明专利]双层硅外延片结构肖特基二极管芯片无效
| 申请号： | 201110086509.9 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102184972A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;朱瑞 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 外延 结构 肖特基 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种双层硅外延片结构肖特基二极管芯片，包括硅片衬底（1），其特征在于：在硅片衬底（1）表面依次设置有过渡外延层（2）和外延层（7），在外延层（7）表面设置有肖特基势垒（5）、P型掺杂的保护环（6）和SiO2层（3），其中肖特基势垒（5）设置于外延层（7）表面中央，P型掺杂的保护环（6）和SiO2层（3）依次设置于肖特基势垒（5）外围，且SiO2层（3）还局部搭接于P型掺杂的保护环（6）表面，在肖特基势垒（5）表面、P型掺杂的保护环（6）局部表面以及SiO2层（3）局部表面设置有电极金属（4）；所述硅片衬底（1）电阻率为0.001~0.005Ω·cm，过渡外延层（2）电阻率为0.03~1.00Ω·cm、厚度为2μm~ 8μm，外延层（7）电阻率为3~20Ω·cm、厚度为5μm~ 30μm。
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