[发明专利]涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备有效

专利信息
申请号: 201110086003.8 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN102156390A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: B·斯蒂夫克尔克;R·F·德格拉夫;J·C·H·马尔肯斯;M·贝克尔斯;P·P·J·伯克文斯;D·L·安斯陶特兹 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 涉及 浸没 光刻 技术 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种检测光刻设备的流体处理系统的污染物的方法,所述方法包括:

使所述流体处理系统(12)的多孔构件(21)与流体在第一侧接触;

从多孔构件(21)的第二侧以恒定速率移除流体,该第二侧与所述第一侧相对;以及

通过监测以恒定速率移除的所述流体的压力来检测污染物。

2.如权利要求1所述的方法,其中在多孔构件的第一侧提供液体,并且移除流体的步骤包括从多孔构件的第二侧移除气体,其中发生突然的压力改变的位置处的压力与某一压力值比较。

3.如权利要求2所述的方法,其中如果发生突然的压力改变的位置处的所述压力小于所述某一压力值,则检测到污染处于流体处理系统需要清洁的水平。

4.如权利要求1、2或3所述的方法,其中以恒定速率从多孔构件的第二侧移除的流体是通过过滤器移除的液体,并且所述压力是通过过滤器移除的液体的压力。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法,还包括:

如果所述检测步骤表明污染水平高于某一阈值,则产生一个信号。

6.如权利要求5所述的方法,还包括:响应于所述信号,清洁流体处理系统(12)的至少一部分。

7.如权利要求5或6所述的方法,还包括:响应于所述信号,替换流体处理系统(12)的至少一部分。

8.如权利要求5、6或7所述的方法,还包括:响应于所述信号,改变浸没光刻设备的操作参数。

9.如权利要求5-8中任一项所述的方法,还包括:响应于所述信号,提醒使用者注意或提醒浸没光刻设备的控制器注意:污染水平已经升高到所述某一阈值以上。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法,包括:

(i)在流体处理系统(12)的操作过程中检测部件的热损失的改变;或

(ii)计算与流体处理系统(12)相关的流体流中的污染物颗粒的数量;或

(iii)检测通过流体处理系统(12)的入口的流体的压力变化;或

(iv)检测通过流体处理系统(12)的出口和/或入口的流体的流速变化;或

(v)检测通过流体处理系统(12)的限制构件的液体的泄漏;或

(vi)检测为将流体处理系统(12)保持在所需的位置而施加到流体处理系统(12)上的力的变化;或

(vii)选自(i)~(vi)的任何组合。

11.一种浸没光刻设备,包括:

流体处理系统(12),用于处理浸没液体并且具有在第一侧与浸没液体接触的多孔构件(21);泵(70),用于以恒定速率从多孔构件(21)的第二侧移除流体,所述第二侧与第一侧相对;和

压力传感器(80),用于监测通过泵(70)以恒定速率移除的流体的压力,由此检测污染物。

12.如权利要求11所述的浸没光刻设备,还包括位于多孔构件的第二侧的过滤器,利用泵(70)通过所述过滤器移除液体。

13.如权利要求11或12所述的浸没光刻设备,还包括:

光学传感器,配置成引导辐射束到一表面,至少一部分所述束被来自流体处理系统的残留在所述表面上的液体散射;和

控制器,配置成通过测量被散射的辐射或通过检测由于散射带来的辐射损失来确定残留液体存在与否。

14.如前述权利要求11-13中任一项所述的浸没光刻设备,还包括用于测量从多孔构件(21)的径向向外的气体抽取环(32)流出的气体流速的传感器(105)。

15.如前述权利要求11-14中任一项所述的浸没光刻设备,还包括用于检测通过多孔构件(21)泄露的任何液体的一个或多个传感器(120、130)。

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