[发明专利]一种IGBT短路保护电路及控制方法

权利要求书

1.一种IGBT短路保护电路，其特征在于：电路包括快恢复二极管(D01)，钳位二极管(D02)，分压电阻(R04)，(R05)，(R06)和比较器(U01)，电阻(R01)，(R03)，(R07)，(R08)；IGBT的集电极连接快恢复二极管(D01)，快恢复二极管(D01)连接电阻(R1)，电阻(R1)连接分压电阻(R6)，分压电阻(R6)连接分压电阻(R5)，分压电阻(R5)连接分压电阻(R4)，分压电阻(R4)连接IGBT的发射极，IGBT的栅极连接钳位二极管(D02)，钳位二极管(D02)连接电阻(R03)，电阻(R03)与分压电阻(R04)并联，比较器(U01)的引脚(1)连接电阻(R08)，电阻(R08)连接随后的光电耦合器输入端，比较器的引脚(2)连接分压电阻(R05)，比较起的引脚(1)连接电阻(R08)，比较器的引脚(6)连接分压电阻(R04)，比较器的引脚(7)连接电阻(R08)。

2.一种如权利要求1所述的IGBT短路保护电路，包括电阻(RG1)，电阻(R1)，电阻(R2)，电阻(R3)，电阻(R7)，电阻(R8)，电阻(R9)，电容(C1)，电容(C2)，电容(C3)，电容(C4)，电容(C5)，电容(C6)，电容(C7)，电容(C8)，电容(C9)，二极管(D3)，稳压管(V1)，稳压管(Z1)，电容(E1)，电容(E2)，电容(E3)，端点(P)连接IGBT的集电极，端点(COM)连接IGBT的发射极，其特征在于：还包括，二极管(D1)，二极管(D2)，电阻(R4)，电阻(R5)，电阻(R6)，比较器(U2)，光电耦合器模块(PC1)，电阻(R10)，电容(C10)，二极管(D1)连接电阻(R1)；二极管(D2)位于电阻(RG1)与电阻(R3)之间；电阻(R4)位于电阻(R3)与稳压管(V1)之间；电阻(R5)与电阻(R6)串联，位于电阻(R7)与电容(C4)之间，光电耦合器模块(PC1)的输入端连接二极管(D3)，电阻(R10)连接电阻(R5)，电容(C10)连接电阻(R10)，比较器(U2)的引脚(2)连接电阻(R10)，比较器(U2)的引脚(6)连接电阻(R3)，比较器(U2)的引脚(2)连接电阻(R10)，比较器(U2)的引脚(7)连接电容(C8)，比较器(U2)的引脚(1)连接电容(C8)，比较器(U2)的引脚(3)连接电阻(R2)，比较器(U2)的引脚(5)连接电阻(R2)。

3.利用如权利要求2所述IGBT短路保护电路的控制方法，其步骤是：当IGBT导通时，二极管(D1)检测到IGBT的导通压降，通过电阻(R4)，电阻(R5)，电阻(R6)进行分压；

若比较器(U2)的引脚(6)电压超过2.5V，则认为IGBT处于短路状态，比较器(U2)的引脚(7)输出翻转为低电平，光电耦合器模块(PC1)导通，光电耦合器模块(PC1)的输出端(OC)信号为低电平，触发CPU的硬件中断关断IGBT的驱动信号。

4.如权利要求3所述IGBT短路保护电路的控制方法，其步骤还包括：当IGBT处于关断状态时，二极管(D2)将比较器(U2)的引脚(6)和引脚(2)电压钳位至低于2.5V的值，比较器(U2)不反转。

5.如权利要求4所述IGBT短路保护电路的控制方法，其步骤还包括：若比较器(U2)的引脚(6)电压超过2.5V，则认为IGBT处于短路状态，比较器(U2)的引脚(1)输出翻转为低电平，经电阻(R10)与电容(C10)组成的延时电路，光电耦合器模块(PC1)导通，光电耦合器模块(PC1)的输出端(OC)信号为低电平，触发CPU的硬件中断关断IGBT的驱动信号。