[发明专利]基准电压电路

说明书

技术领域

本发明涉及基准电压电路，更具体涉及具有基准电压经过既定时间逐渐上升的软起动(soft start)功能的基准电压电路。

背景技术

一般，具有软起动功能的基准电压电路中，将从恒流源对电容器进行充电的充电期间设定为软起动时间。当被充电的电压超过既定电压时，开关被切换，进行从软起动电压到既定的基准电压的变换(例如，参照专利文献1)。

对传统的基准电压电路进行说明。图2是传统的基准电压电路的电路图。基准电压电路包括恒压源101和软起动电路。软起动电路包括比较器103、延迟电路104、恒流源102、电容C、电阻R和开关SW1～SW3。

恒流源102和电容C的接点，与基准电压电路的输出端子Vref连接。比较器103的非反相输入端子与输出端子Vref连接，而反相输入端子经由偏置电压Vos而与恒压源101的输出端子连接。比较器103的输出端子与开关SW2、恒流源102、和延迟电路104连接。延迟电路104的输出端子与开关SW3连接。

电容C从恒流源102接受恒流Ic的电流而被充电。比较器103比较从恒压源101的输出电压Vbgr减去既定的偏置电压Vos后的电压与恒流源102和电容C的接点的电压，输出与其比较结果对应的输出电压。若恒流源102和电容C的接点的电压高于从恒压源101的输出电压Vbgr减去期望的偏置电压Vos的电压，则开关SW2导通，且停止恒流源102的电流供给，而延迟电路104开始动作。当开关SW2导通时，从恒压源101经由电阻R而与RC的时间常数匹配地向电容C充电。延迟电路104的输出与开关SW3连接，自延迟电路104开始动作起经过既定时间后使开关SW3导通。如果开关SW3导通，恒压源101的输出电压Vbgr就直接与基准电压Vref连接。

对传统的基准电压电路的动作进行说明。

在开关SW1导通的状态下，基准电压电路停止动作，输出端子Vref的基准电压成为0V。

当开关SW1截止时，基准电压电路就开始动作。从恒流源102接受恒流Ic的电流，开始对电容C的恒流充电。此时，基准电压Vref按照恒流Ic和电容C的电容值，直线上升。若被充电到电容C的电压超过Vbgr-Vos，则比较器103的输出信号反相，因此开关SW2导通，恒流源102停止电流供给，延迟电路104开始动作。由于恒流源102停止电流供给，能够用恒流源101的输出电压Vbgr，经由电阻R而进行对电容C的充电。

自延迟电路104开始动作起经过既定时间之后，开关SW3会导通，从而恒流源101的输出电压Vbgr直接成为基准电压Vref。

专利文献1：日本特开2000-56843号公报

在传统的基准电压电路中，通过用开关进行切换，设定软起动期间和既定的Vref电压。这时，开关的切换信号，需要用于比较内部的基准电压和软起动电压的比较器和延迟电路，因此电路规模会变大。

而且，存在的问题是由于用开关切换软起动期间和基准电压输出期间，所以直线上升的基准电压不连续。

发明内容

本发明鉴于上述课题而成，提供具有在基准电压不产生不连续的软起动功能的基准电压电路。

为了解决上述课题，本发明的基准电压电路为如下的构成。

一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS晶体管和第一增强型MOS晶体管，其特征在于，软起动电路包括：第二增强型MOS晶体管，其栅极与所述第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，而漏极与基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与基准电压部的输出端子连接，另一端子与所述第二增强型MOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地之间串联连接，通过用恒流源的电流对电容进行充电时的电压，使MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。

(发明效果)

依据上述那样的本发明的基准电压电路，由于不需要用于生成开关SW的切换信号的比较器和延迟电路，能够削减电路规模。通过减小芯片尺寸，得到能够抑制制造成本而制作低价的制品的效果。

而且，在从软起动动作到稳定动作为止的期间，得到基准电压的输出连续。

再者，在基准电压电路的输出端子仅与MOS晶体管的栅极连接这样的情况下，软起动动作的基准电压的初始值也成为0V，因此能够进行稳定的软起动动作。

附图说明

图1是第一实施例的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。

图2是传统的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。