[发明专利]基准电压电路有效
| 申请号： | 201110080233.3 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102200797A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 铃木照夫 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 | ||
1.一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS晶体管和第一增强型MOS晶体管，其特征在于，
所述软起动电路包括：
第二增强型MOS晶体管，其栅极与所述第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与所述基准电压电路的输出端子连接；
MOS开关，其一个端子与所述基准电压部的输出端子连接，且另一端子与所述第二增强型MOS晶体管的漏极连接；以及
恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接，
利用由所述恒流源的电流来对所述电容进行充电时的电压，使所述MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。
2.一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括：耗尽型MOS晶体管，其栅极及源极接地；第一增强型PMOS晶体管，其源极与电源端子连接，且栅极及漏极与所述耗尽型MOS晶体管的漏极连接；第二增强型PMOS晶体管，其栅极与所述第一增强型PMOS晶体管的栅极连接，且源极与电源端子连接；以及第一增强型NMOS晶体管，其栅极及漏极与所述第二增强型PMOS晶体管的漏极连接，其特征在于，
所述软起动电路包括：
第二增强型NMOS晶体管，其栅极与所述第一增强型NMOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与所述基准电压电路的输出端子连接；
MOS开关，其一个端子与所述基准电压部的输出端子连接，且另一端子与所述第二增强型NMOS晶体管的漏极连接；以及
恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接，
利用由所述恒流源的电流来对所述电容进行充电时的电压，使所述MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。
3.如权利要求1或2所述的基准电压电路，其特征在于，具备与所述恒流源和所述电容的连接部连接的第一起动开关。
4.如权利要求3所述的基准电压电路，其特征在于，具备与所述基准电压电路的输出端子连接的第二起动开关。
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