[发明专利]通过纳米线生长形成的单片高纵横比纳米尺寸扫描探针显微镜（SPM）尖端

权利要求书

1.一种用于获得全部平行的纳米线的方法，包括以下步骤：

在衬底之上生长多个纳米线，其中所述纳米线的子集是平行的；

对准所述衬底以便使平行的纳米线的所述子集平行于反应离子蚀刻束；以及

蚀刻具有不平行于离子束的至少一段的纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长多个纳米线包括选择化学气相淀积或等离子体增强化学气相淀积进行淀积。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述淀积之前在所述衬底的表面上形成金属催化剂。

4.根据权利要求3所述的方法，其中通过镀敷形成所述金属催化剂。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属催化剂是金催化剂。

6.根据权利要求3所述的方法，其中在淀积所述生长多个纳米线之前使用退火以形成所述金属催化剂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述退火温度在370℃-550℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个纳米线的每个具有大于10的长度与直径纵横比。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属催化剂通过金属胶体的旋涂形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中生长温度从370℃到500℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中生长温度从800℃到950℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长多个纳米线包括使用四氯化硅作为前体。

13.根据权利要求1所述的方法，其中通过外延生长所述多个纳米线。

14.根据权利要求1所述的方法，其中通过定向蚀刻过程执行所述蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述定向蚀刻过程包括反应离子蚀刻。