[发明专利]石墨电极

权利要求书

1.一种由碳构成的电极，其中，所述电极由比导热率不同的至少两个不同区域构成，其中，外部区域(A)形成所述电极的基部并支撑一个或多个内部区域，其中，所述最里面的区域(B)在顶部从区域(A)突出，并且具有比区域(A)低的比导热率。

2.根据权利要求1所述的电极，其中，所述不同区域以这样的方式设置：所述最里面的区域具有最低比导热率，并完全地或部分地由具有更高导热率的区域包围。

3.根据权利要求1至2任一项所述的电极，其中，所述内部区域(B)设置为未固定或可更换插入件。

4.根据权利要求3所述的电极，其中，所述区域(B)通过外部区域内的圆锥形插塞连接部连接。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电极，其中，所述区域具有共同的热接触部和电接触部。

6.根据权利要求1至5任一项所述的电极，其中，具有最低导热率的最里面的区域具有用于容纳丝棒的装置。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电极，其中，所述电极连接至位于其基部的热沉上。

8.根据权利要求1至7任一项所述的电极，其中，所述电极由具有不同导热率的高纯度或超高纯度人工石墨构成。

9.根据权利要求1至8任一项所述的电极，其中，使用的碳材料具有如下参数的一个或多个：

a.)比导热率为20至200W/(m*K)，

b.)电阻率为30至5μOhm*m，

c.)在粗糙度轮廓Rt的总高度为10至200μm、平均粗糙度深度Rz为8至160μm的情况下，表面粗糙度Ra的算术平均粗糙度值为1至20μm，

d.)抗压强度为40至250MPa，

e.)抗弯强度为10至100MPa，

f.)弹性模量为1至20GPa，

g.)温度范围20至1000℃的线性热膨胀系数为2*10^-6至10*10^-61/K，

h.)开口孔隙率为5％至25％。

10.通过从气相沉积高纯度元素硅到硅棒表面上来制造多晶硅的方法，其中，所述硅棒由如权利要求1至9任一项所述的电极固定在反应器内。