[发明专利]单相电容运转电机多倍电量移相方法及其电路结构

权利要求书

1.一种单相电容运转电机多倍电量移相方法，所述单相电容运转电机所述包括定子铁芯，以及分布在定子铁芯齿部的主绕组A和副绕组L，主绕组A与副绕组L距离90°相位；其特征在于：在主绕组A逆时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设置电磁能量储备绕组Ta，在主绕组A顺时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设置电磁能量储备绕组Tb；又在主绕组A电场区域的定子铁芯齿部分布两组用于二次移相的控制绕组，分别为控制绕组a和控制绕组b；将控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联形成一条支路，将控制绕组b与电磁能量储备绕组Tb按照控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联的不同绕向串联形成另一条支路，再将这两条支路一同与副绕组L并联后与运转电容器串联，最后与主绕组A并联后接入电源；

所述运转电容器的容量，按照电磁能量储备绕组Ta、电磁能量储备绕组Tb以及副绕组L的驱动磁通量总和进行匹配配置。

2.一种单相电容运转电机多倍电量移相的电路结构，所述单相电容运转电机所述包括定子铁芯，以及分布在定子铁芯齿部的主绕组A和副绕组L，主绕组A与副绕组L距离90°相位；其特征在于：在主绕组A逆时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Ta，在主绕组A顺时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Tb；在主绕组A电场区域的定子铁芯齿部分布有两组用于二次移相的控制绕组，分别为控制绕组a和控制绕组b；所述控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联形成一条支路，所述控制绕组b与电磁能量储备绕组Tb按照控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联的不同绕向串联形成另一条支路，这两条支路一同并联在副绕组L的两端后与运转电容器串联，最后与主绕组A并联后接入电源；

所述运转电容器的容量，按照电磁能量储备绕组Ta、电磁能量储备绕组Tb以及副绕组L的驱动磁通量总和进行匹配配置。

3.一种单相电容运转电机多倍电量移相的电路结构，所述单相电容运转电机所述包括定子铁芯，以及分布在定子铁芯齿部的主绕组A、副绕组L、电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb；主绕组A与副绕组L距离90°相位，控制绕组La和控制绕组Lb分布在主绕组A电场区域中；副绕组L、电桥副绕组L1与电桥副绕组L2构成Y形结构的副相绕组LY，电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb构成△形电路，即副绕组L、电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb构成△Y形绕组电路；其特征在于：在主绕组A逆时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Ta，在主绕组A顺时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Tb；在主绕组A电场区域的定子铁芯齿部分布有两组用于二次移相的控制绕组，分别为控制绕组a和控制绕组b；所述控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联形成一条支路，所述控制绕组b与电磁能量储备绕组Tb按照控制绕组a与电磁能量储备绕组Ta串联的不同绕向串联形成另一条支路，这两条支路一同并联在△Y形绕组电路的两端后与运转电容器串联，最后与主绕组A并联后接入电源；

所述运转电容器的容量，按照电磁能量储备绕组Ta、电磁能量储备绕组Tb以及副绕组L的驱动磁通量总和进行匹配配置。

4.一种单相电容运转电机多倍电量移相的电路结构，所述单相电容运转电机所述包括定子铁芯，以及分布在定子铁芯齿部的主绕组A、副绕组L、电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb；主绕组A与副绕组L距离90°相位，控制绕组La和控制绕组Lb分布在主绕组A电场区域中；副绕组L、电桥副绕组L1与电桥副绕组L2构成Y形结构的副相绕组LY，电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb构成△形电路，即副绕组L、电桥副绕组L1、电桥副绕组L2、控制绕组La和控制绕组Lb构成△Y形绕组电路；其特征在于：在主绕组A逆时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Ta，在主绕组A顺时针到副绕组L之间所分布相带的中间相位的定子铁芯轭部设有开槽并分布有电磁能量储备绕组Tb；所述电磁能量储备绕组Ta和电磁能量储备绕组Tb分别并联到副相绕组LY的两相副绕组电压输入接线端后，△Y形绕组电路再与运转电容器串联，最后与主绕组A并联后接入电源；

所述运转电容器的容量，按照电磁能量储备绕组Ta、电磁能量储备绕组Tb以及副绕组L的驱动磁通量总和进行匹配配置。