[发明专利]表现双耗尽的高电子迁移率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极，

其中，双耗尽区域存在于源极和漏极之间。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，在所述多个半导体层中的具有相对低的极性的半导体层包括二维电子气和二维空穴气中的至少一种。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中，多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，

中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。

4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，下材料层包括二维电子气沟道，上材料层包括二维空穴气沟道。

5.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，上材料层包括二维电子气沟道，下材料层包括二维空穴气沟道。

6.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，二维电子气沟道形成在中间材料层的与上材料层接触的表面上，

二维空穴气沟道形成在中间材料层的与下材料层接触的表面上。

7.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，二维电子气沟道形成在中间材料层的与下材料层接触的表面上，

二维空穴气沟道形成在中间材料层的与上材料层接触的表面上。

8.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中，中间材料层是单材料层或多材料层。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，

栅极和漏极在上材料层上且彼此分开地设置。

10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中，源极在上材料层上。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其中，上材料层包括二维空穴沟道，源极直接接触二维空穴气沟道并接触上材料层的侧表面。

12.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管还包括在上材料层和栅极之间的绝缘层。

13.一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：

中间材料层，在下材料层上；

上材料层和漏极，在中间材料层上方；

栅极，在中间材料层和上材料层中的至少一个上；

源极，在中间材料层和上材料层中的至少一个上，

其中，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性，

双耗尽区域存在于栅极和漏极之间。

14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，上材料层和漏极接触中间材料层，

源极与栅极分开地设置，且源极设置在中间材料层或上材料层上。

15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中，栅极和源极在上材料层上。

16.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，栅极和源极在中间材料层上，

栅极的侧表面接触上材料层。

17.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，其中，栅极与上材料层欧姆接触，

栅极和中间材料层形成肖特基接触。

18.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，其中，栅极包括第一栅极和第二栅极。

19.如权利要求18所述的高电子迁移率晶体管，其中，第一栅极与上材料层欧姆接触，

第二栅极与第一栅极和上材料层欧姆接触，并与中间材料层形成肖特基接触。

20.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，源极和漏极中的至少一个接触下材料层的侧表面。

21.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述高电子迁移率晶体管还包括在栅极与中间材料层和上材料层中的至少一个之间的绝缘层。

22.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，上材料层和漏极在中间材料层上彼此分开地设置。

23.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中，源极在上材料层上。

24.如权利要求23所述的高电子迁移率晶体管，其中，上材料层包括二维空穴沟道，源极直接接触二维空穴气沟道并接触上材料层的侧表面。