[发明专利]气敏场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.气敏场效应晶体管(100)，它具有以下特征：

---具有基质主表面的半导体基质(138)，其中半导体基质(138)具有源极区(240)，栅极区(140)和漏极区(310)；

---绝缘层(110)，它具有朝向基质主表面的第一主表面，和背离基质主表面的第二主表面，其中绝缘层(110)至少局部地盖住了基质主表面，并且在栅极区(140)部位里具有开孔(135)或者层厚变小的绝缘层部位，其中绝缘层(110)在开孔(135)的部位或者在绝缘层部位(135)中具有倾斜的侧壁(137)，从而在绝缘层(110)的在开孔(135)的部位里或者绝缘层部位(135)里相互对置的倾斜侧壁(137)之间的距离，从第二主表面向着第一主表面方向上变小；和

---栅极层(155)，它至少盖住绝缘层(110)的第一主表面的局部，倾斜侧壁(137)的一个部位以及栅极区(140)的一个部位，其中栅极层(155)包括有材料或者结构，它们在与预先规定的气体接触时，使栅极层或者其表面的电性能发生变化。

2.按照权利要求1所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，绝缘层(110)具有倾斜的侧壁(137)，它们相对于第一和第二主表面构成5°至80°的角度。

3.按上述权利要求之一所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，源极区(240)，漏极区(310)和/或栅极层(155)借助于印制导线(230)进行电接通，它们涂覆在绝缘层(110)的第二主表面上。

4.按上述权利要求之一所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，设有连接环(200)，它在绝缘层(110)上，布置在朝向绝缘层(110)的第二主表面的一侧，并且包围绝缘层(110)里的开孔(135)或者具有减小层厚的绝缘层部位(135)。

5.按照权利要求4所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，连接环(200)包括有一种导电材料，并用作为栅极层(155)的电接点。

6.按上述权利要求之一所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，还设有载体基质(215)，它，尤其是借助于倒装法技术，布置在朝向第二主表面的具有绝缘层(110)的一个面上，或者布置在一个施加于绝缘层(110)上的结构(230)上，其中载体基质(215)设计用于机械保持场效应晶体管(100)。

7.按照权利要求6所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，载体基质(215)具有开孔(217)，它对置于绝缘层(110)的开孔(135)或者层厚变小的绝缘层部位(135)。

8.按照权利要求7所述的气敏场效应晶体管(100)，其特征在于，载体基质((215)里的开孔(217)用透气的过滤材料或者催化材料封闭，这种材料设计用于对流过载体基质(215)开孔(217)的气体进行过滤或者催化。

9.制造气敏场效应晶体管(100)的方法(400)，其中这方法(400)具有以下步骤：

---提供(410)具有基质主表面的半导体基质，其中半导体基质具有源极区，栅极区和漏极区，其中基质主表面被绝缘层盖住；

---在绝缘层的露出表面上涂覆(420)遮盖，其中进行遮盖的涂覆，使得遮盖具有一个带有倾斜侧壁的空隙或者开孔，其中空隙或者开孔向着对置于栅极区的部位逐渐变小；

---在应用空隙或者开孔的情况下，形成(430)在绝缘层里的开孔或者层厚减小的绝缘层部位，从而在绝缘层里形成开孔或者层厚减小的绝缘层部位，其中绝缘层在开孔的部位里，或者在绝缘层部位里具有倾斜侧壁，因此在绝缘层的相互对置的倾斜侧壁之间的距离，在绝缘层中的开孔的部位里或者绝缘层部位里，从邻接于遮盖的绝缘层主表面向着基质主表面方向上变小；

---涂覆(440)栅极层，以便通过栅极层遮盖住绝缘层的露出主表面的至少一个局部，遮盖住在绝缘层里的倾斜侧壁的至少一个部位以及栅极区的部位，其中栅极层包括有材料或者构造，它在与预先规定的气体接触时，使栅极层的电性能发生变化。

10.按照权利要求9所述的方法(400)，其特征在于，借助于在绝缘层的露出表面上的回流工序，在涂覆(430)遮盖的步骤中涂覆具有规定的边棱走向的光刻胶作为遮盖，并且以一种适合的形成结构方法使光刻胶边棱的结构传送到绝缘层的边棱上。