[发明专利]连续扩散处理装置无效
| 申请号： | 201110029173.2 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102299059A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 森川清彦;笠次克尚;西村圭介;芦田忍 | 申请（专利权）人： | 光洋热系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/16 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连续 扩散 处理 装置 | ||
1.一种连续扩散处理装置，其特征在于包括：
输送台，装载多张板状的被处理件；
筒状的加热炉，从送入所述输送台的送入部到送出所述输送台的送出部以直线状延伸；
输送装置，将所述输送台从所述送入部向所述加热炉内依次送入，并将已在所述加热炉内输送的所述输送台从所述送出部依次送出；
加热装置，对通过所述加热炉内的所述输送台上装载的所述被处理件进行加热；以及
供气装置，向所述加热炉内提供用于扩散处理的气体，
所述输送装置具有压力驱动部，所述压力驱动部通过推动位于所述送入部的上游的所述输送台，将所述输送台依次送入所述加热炉内，并且，通过所述送入的输送台将先送入的输送台向所述送出部推动，在所述加热炉内成列地输送。
2.根据权利要求1所述的连续扩散处理装置，其特征在于还包括排气结构部，所述排气结构部设置在所述加热炉的底部，并且在所述排气结构部内部具有将所述加热炉内的气体向所述加热炉外导出的排气流路，
所述排气结构部沿着所述输送台的输送方向呈直线配置，沿所述输送方向引导由所述输送装置输送的所述输送台。
3.根据权利要求1或2所述的连续扩散处理装置，其特征在于还包括多个隔壁构件，所述多个隔壁构件设置在所述加热炉内，将从所述加热炉内的所述送入部到所述送出部之间在输送方向上划分成多个处理区，
所述供气装置向被划分成多个的处理区中的特定处理区提供用于进行扩散处理的气体。
4.根据权利要求1或2所述的连续扩散处理装置，其特征在于，由所述压力驱动部推动的所述输送台的压力冲程与所述输送台的长度尺寸基本相等。
5.根据权利要求3所述的连续扩散处理装置，其特征在于，由所述压力驱动部推动的所述输送台的压力冲程与所述输送台的长度尺寸基本相等。
6.根据权利要求1或2所述的连续扩散处理装置，其特征在于，
所述加热炉内在输送方向上被划分成多个处理区，
所述输送台在输送方向上的长度尺寸小于进行扩散处理的处理区在输送方向上的长度尺寸。
7.根据权利要求3所述的连续扩散处理装置，其特征在于，
所述加热炉内在输送方向上被划分成多个处理区，
所述输送台在输送方向上的长度尺寸小于进行扩散处理的处理区在输送方向上的长度尺寸。
8.根据权利要求4所述的连续扩散处理装置，其特征在于，
所述加热炉内在输送方向上被划分成多个处理区，
所述输送台在输送方向上的长度尺寸小于进行扩散处理的处理区在输送方向上的长度尺寸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
