[发明专利]有机发光显示设备

权利要求书

1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：

基底；

光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；

钝化层，覆盖光转换层；

第一电极，在钝化层上；

中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；

第二电极，在中间层上。

2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层设置在由中间层产生的光的传播通路上。

3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层的折射率比钝化层的折射率高。

4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，钝化层包含氧化硅。

5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在基底和光转换层之间的缓冲层。

6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，缓冲层包含氮化硅。

7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层以预定的图案形成以包括多个通孔。

8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在钝化层和基底之间的薄膜晶体管，薄膜晶体管电连接到第一电极，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。

9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层由用于形成光转换层的材料形成。

10.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层形成在上面形成有光转换层的层上。

11.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中：

栅绝缘膜使栅电极与有源层绝缘，

栅绝缘膜在基底和光转换层之间。

12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，栅绝缘膜包含氧化硅。

13.如权利要求8所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括在有源层与源电极和漏电极之间的蚀刻阻止件。

14.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件在光转换层和钝化层之间。

15.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件包括多个通孔，通孔暴露光转换层的部分。

16.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件包含氧化硅。

17.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中：

源电极或漏电极延伸达到光转换层的边缘，以阻挡光进入光转换层周围的区域，

延伸达到光转换层边缘的源电极或漏电极包括面向光转换层的通孔。

18.如权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，延伸达到光转换层的边缘的源电极或漏电极围绕光转换层的边缘。

19.如权利要求8所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在基底和光转换层之间的光阻挡层，光阻挡层阻挡光进入光转换层周围的区域。

20.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，光阻挡层包括面向光转换层的通孔。

21.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，光阻挡层由用于形成栅电极的材料形成。

22.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，由中间层产生的光射向基底。

23.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中：

第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个包括在基底上的钝化层、在钝化层上的第一电极、在第一电极上并包括有机发射层的中间层以及在中间层上的第二电极，

第二子像素还包括第二子像素光转换层和第二子像素钝化层，第二子像素光转换层包含氧化物半导体，第二子像素光转换层在基底上，第二子像素钝化层在第二子像素光转换层上，

第三子像素还包括在基底上的第三子像素光转换层并且还包括在第三子像素光转换层上的蚀刻阻止件，第三子像素光转换层包含氧化物半导体，第三子像素钝化层在蚀刻阻止件上。