[发明专利]微细结构的光刻方法有效
| 申请号： | 201110006476.2 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102591139A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王红丽;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/20;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微细 结构 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，包括：
在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模材料层；
进行第一曝光和第一刻蚀，形成第一硬掩模图形；
在所述第一硬掩模图形上形成第二硬掩模材料层；
进行第二曝光和第二刻蚀，形成第二硬掩模图形。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模材料层和所述第二硬掩模材料层的材质不同。
3.如权利要求2所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模材料层和所述第二硬掩模材料层的材质选自氮化硅和二氧化硅两者之一。
4.如权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模图形和所述第二硬掩模图形宽度不同。
5.如权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一曝光和所述第二曝光的光源不同。
6.如权利要求5所述的光刻方法，其中，所述第一曝光和所述第二曝光的光源选自i线水银弧光灯和电子束曝光系统两者之一。
7.如权利要求1所述光刻方法，其中，所述第二硬掩模材料层厚度大于所述第一硬掩模材料层厚度。
8.如权利要求1所述的光刻方法，其中，在形成所述第二硬掩模图形之后，对结构材料层进行第三刻蚀以形成最终结构。
9.如权利要求1或8所述的光刻方法，其中，所述第一刻蚀、第二刻蚀或第三刻蚀是RIE刻蚀或ICP刻蚀。
10.如权利要求1所述的光刻方法，其中，在形成所述第二硬掩模材料层之后对所述第二硬掩模材料层进行平坦化直至露出所述第一硬掩模图形。
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