[发明专利]发光元件无效
申请号: | 201080066249.2 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN102844893A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 折田贤儿 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包括:
半导体多层膜,被形成在基板的主面上,并且具有产生第一波长的光的活性层;和
多个荧光体层,被形成在所述半导体多层膜上,并且构成第一2维周期结构,
所述荧光体层被所述第一波长的光激发,产生第二波长的光,
所述半导体多层膜具有引导所述第一波长的光和第二波长的光的光波导通路,
对于从所述光波导通路的端面辐射出的光而言,较之电场的方向与所述主面呈垂直的方向的光,呈水平的方向的光的比例更高。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述第一2维周期结构,针对所述第二波长的光当中的电场的方向与所述主面呈垂直的方向的光,形成了光子带隙。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述多个荧光体层当中的在所述光波导通路的中央部所形成的荧光体层,构成所述第一2维周期结构,
所述多个荧光体层当中的在所述光波导通路的外边缘部所形成的荧光体层,构成第二2维周期结构,
对于所述第一2维周期结构和所述第二2维周期结构而言,形成周期或周期结构的基本单位的大小或者形状相互不同。
4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,
所述第二2维周期结构,针对所述第二波长的光当中的电场的方向与所述主面呈平行的方向的光,形成了光子带隙。
5.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
还包括:在所述半导体多层膜与所述荧光体层之间所形成的透明电极。
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