[发明专利]具有侧线采出次级反应器的氧化系统

权利要求书

1.通过使浆料与气相氧化剂接触生产多元羧酸的系统，所述系统包括：

包括第一浆料出口的初级氧化反应器；和

包括浆料入口、第二浆料出口、通常下部的氧化剂入口和通常上部的氧化剂入口的次级氧化反应器，

其中所述浆料入口与所述第一浆料出口下游侧流体流连通，

其中所述次级氧化反应器在其内限定了具有最大长度L_S和最大直径D_S的次级反应区，

其中所述通常下部的氧化剂入口距所述次级反应区底部小于0.5L_S，

其中所述通常上部的氧化剂入口距所述次级反应区底部至少0.5L_S，

其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约0.3L_S至约0.9L_S的范围。

2.权利要求1的系统，其中所述通常上部的氧化剂入口和所述通常下部的氧化剂入口在它们之间限定了用于将所述气相氧化剂引入所述次级反应区内的总开口面积，其中所述通常上部的氧化剂入口限定了所述总开口面积的约5%至约49%，其中所述通常上部的氧化剂入口距所述次级反应区底部至少0.7L_S。

3.权利要求1的系统，其中所述通常上部的氧化剂入口包括喷洒器，其中所述喷洒器包括多个氧化剂排出口，其中大部分所述氧化剂排出口取向为朝通常向下的方向排出所述气相氧化剂。

4.权利要求1的系统，其中所述通常上部的氧化剂入口距所述浆料入口小于0.4L_S。

5.权利要求1的系统，其中所述次级氧化反应器包括至少两个通常上部的氧化剂入口，各自分别距所述次级反应区底部至少0.5L_S。

6.权利要求1的系统，其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约0.5L_S至约0.8L_S的范围，其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约9D_S至约15D_S的范围，其中所述反应区的L_S:D_S比在约14：1至约28：1的范围。

7.权利要求1的系统，其中所述初级氧化反应器为泡罩塔反应器，其中所述次级氧化反应器为泡罩塔反应器，其中所述初级氧化反应器在其内限定了初级反应区，其中所述初级反应区与所述次级反应区的体积比在约4：1至约50：1的范围。

8.通过使经由氧化产生的浆料与气相氧化剂接触来生产多元羧酸的系统，所述系统包括：

包括第一浆料出口的初级氧化反应器；和

包括浆料入口、第二浆料出口和通常上部的氧化剂入口的次级氧化反应器，

其中所述浆料入口与第一浆料出口下游侧流体流连通，

其中所述次级氧化反应器在其内限定了具有最大长度L_S和最大直径D_S的次级反应区，

其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约0.3L_S至约0.9L_S的范围，

其中所述通常上部的氧化剂入口在所述浆料入口上方与其相距小于0.4L_S。

9.权利要求8的系统，其中所述次级氧化反应器还包括通常下部的氧化剂入口，其中所述通常下部的氧化剂入口距所述次级反应区底部小于0.3L_S，其中所述通常上部的氧化剂入口距所述次级反应区底部至少0.7L_S。

10.权利要求8的系统，其中所述通常上部的氧化剂入口包括喷洒器，其中所述喷洒器包括多个氧化剂排出口，其中大部分所述氧化剂排出口取向为朝通常向下的方向排出所述气相氧化剂。

11.权利要求8的系统，其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约0.5L_S至约0.8L_S的范围，其中所述浆料入口距所述次级反应区底部的距离在约9D_S至约15D_S的范围，其中所述反应区的L_S:D_S比在约14：1至约28：1的范围。