[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备驱动电路的显示装置，上述驱动电路使用了在显示面板中形成为单片、与现有的TFT相比TFT的沟道宽度较大的TFT。

背景技术

以往以来，在显示装置、特别在液晶显示装置的领域中，为了实现可靠性的提高、边框区域的窄小化以及制造成本的削减等，使用如p-Si(Poly Silicon：多晶硅)、CG-Si(Continuous Grain Silicon：连续晶界结晶硅)、微晶Si(μc-Si：微晶硅)那样具有比较高的迁移率的半导体膜单片地形成有在液晶显示装置的显示区域中形成的像素TFT和在上述显示区域的周边区域中形成的扫描信号线驱动电路及数据信号线驱动电路所具备的驱动TFT。

另外，近年来，作为削减制造成本的其它方法，提出了使用a-Si(Amorphous Silicon：非晶硅)半导体膜单片地形成上述像素TFT和上述扫描线驱动电路所具备的驱动TFT的、所谓的使用a-Si半导体膜的扫描线驱动电路的GDM化(栅极驱动器单片化)，上述a-Si半导体膜的迁移率比由上述p-Si、上述CG硅以及上述微晶硅形成的半导体膜的迁移率低，但是可以省去结晶化工序，可以更便宜地形成。

另一方面，伴随着液晶显示装置的高精细化，数据信号线的根数增加，因此，如图18所示，数据信号线驱动电路多是包括多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c。

图18示出具备多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的现有的液晶显示装置141的构成。

液晶显示装置141具备显示面板112、柔性印刷基板113以及控制基板114。

在液晶显示装置141所具备的显示面板112中，使用形成在玻璃基板上的a-Si制作在显示区域112a的各像素的每一个中形成的像素TFT 121和扫描信号线驱动电路115所具备的驱动TFT。

像素区域112a是多个像素PIX矩阵状地配置的区域，在像素PIX中，具备像素TFT121和液晶电容CL以及辅助电容Cs。

像素TF T121的栅极电极与扫描线GL连接，像素TFT121的源极电极与数据信号线SL连接。另外，液晶电容CL和辅助电容Cs与像素TFT121的漏极电极连接。

多根扫描线包括扫描线GL1、GL2、GL3…GLn，分别与扫描信号线驱动电路115的输出连接，另一方面，多根数据信号线包括数据信号线SL1、SL2、SL3…SLm，分别与多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的输出连接。

而且，虽未图示，但形成有辅助电容配线，其向各像素PIX的每一个所具备的辅助电容Cs的一方电极施加辅助电容电压。

如图所示，扫描信号线驱动电路115针对显示面板112的显示区域112a设置在与扫描线GL1、GL2、GL3…GLn的延伸方向的一方侧相邻的区域，按顺序向各扫描线GL1、GL2、GL3…GLn提供扫描脉冲(栅极脉冲)。

扫描信号线驱动电路115可以在显示面板112中使用p-Si膜、CG-Si膜、微晶Si膜、a-Si膜而与显示区域112a制作成单片。

另一方面，柔性印刷基板113具备多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c。数据信号线驱动电路116a、116b、116c分别对数据信号线SL1、SL2、SL3…SLm提供数据信号。

另外，控制基板114与柔性印刷基板113连接，向扫描信号线驱动电路115和数据信号线驱动电路116a、116b、116c提供必要的信号、电源。即，从控制基板114输出、向扫描信号线驱动电路115提供的信号和电源经由柔性印刷基板113向显示面板112的扫描信号线驱动电路115提供。

如图18的液晶显示装置141所示，在数据信号线驱动电路包括多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的情况下，存在导致制造单价提高、安装面积增加的问题。

因此，提出了减少数据信号线驱动电路的输出数量而进行分时地驱动RGB的各数据信号线的SSD(Source Shared Driving：源极共享驱动)方式的驱动的液晶显示装置。

图19示出SSD方式的液晶显示装置151的一个例子。

此外，图19所示的矩阵状地配置的多个像素PIX的结构与图18相同，因此，省略其说明。