[发明专利]具有交联的有机硅表面的抗反射膜、制备方法以及使用其的吸光装置无效

专利信息
申请号: 201080060350.7 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN102712827A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 蒂莫西·J·赫布林克;托德·G·佩特 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;G02B1/11
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 交联 有机硅 表面 反射 制备 方法 以及 使用 装置
【权利要求书】:

1.一种透明抗反射结构化膜,包括:

结构化膜基底,包括具有抗反射结构的结构化面,所述结构化面对光是抗反射的,至少所述抗反射结构包括交联的有机硅弹性体材料,每一抗反射结构具有结构化表面,所述结构化表面的有机硅弹性体交联密度高于所述抗反射结构化膜的其余部分。

2.根据权利要求1所述的膜,其中每一所述抗反射结构的芯部分的有机硅弹性体交联密度低于所述结构化表面。

3.根据权利要求1所述的膜,其中所述结构化膜基底还包括基部,所述抗反射结构从所述基部延伸,每一所述抗反射结构的所有有机硅弹性体材料具有约与所述结构化表面一样高的有机硅弹性体交联密度,并且所述基部的有机硅弹性体交联密度低于每一所述抗反射结构。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜,其中所述抗反射结构包括棱柱,其棱柱顶端角在约15度至约75度范围内,间距在约10微米至约250微米范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的膜,其中所述膜呈现下列性质中的至少一种:(a)在所述结构化表面暴露于沾污测试之后,小于8%的透光率变化,或者(b)在所述结构化表面暴露于漏砂测试之后,小于8%的透光率变化。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的膜,与具有主面的透明支撑背衬相结合,其中所述透明支撑背衬消散静电,且所述结构化膜基底还包括背衬面,所述背衬面结合到所述支撑背衬的所述主面,以形成强化的抗反射结构化膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的膜,与防潮层相结合,其中所述结构化膜基底还包括背衬面,且所述防潮层结合到所述结构化膜基底的所述背衬面。

8.一种光能吸收装置,包括:

吸光体,具有光能接收面;和

根据权利要求1至7中任一项所述的透明抗反射结构化膜,设置在光能源和所述光能接收面之间,同时来自光能源的光能被所述吸光体吸收。

9.一种制备透明抗反射结构化膜的方法,所述方法包括:

提供结构化膜基底,所述结构化膜基底包括结构化面,所述结构化面具有限定结构化表面的抗反射结构,所述结构化面对光是抗反射的,并且所述结构化膜基底包括交联的有机硅弹性体材料;以及

处理所述结构化表面,使得所述结构化表面的有机硅弹性体交联密度高于所述结构化膜基底的其余部分。

10.一种制备光能吸收装置的方法,所述方法包括:

提供根据权利要求1至7中任一项所述的透明抗反射结构化膜;

提供具有光接收面的吸光体;以及

将所述抗反射结构化膜相对于所述吸光体固定,使得光能够穿过所述抗反射结构化膜到达所述吸光体的所述光接收面。

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