[发明专利]电容器元件制造用反应容器和电容器元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及对于多个导电体可以将其形成范围维持为一定地稳定地形成均一的电介质层和/或均一的半导体层的电容器元件制造用反应容器和电容器元件的制造方法。

背景技术

在个人计算机等所使用的CPU（中央运算处理装置）的电路等中使用的电容器，为了抑制电压变动、抑制高脉动（ripple）通过时的发热为较低，一直要求高容量且低ESR（等价串联电阻）。

作为CPU电路中所使用的电容器，已知铝固体电解电容器、钽固体电解电容器。作为这些固体电解电容器，已知由：由将在表面层具有微细的细孔的铝箔或者在内部具有微小的细孔的钽粉烧结成的烧结体构成的一个电极（导电体）、在该电极的表面形成的电介质层、和在该电介质层上形成的另一个电极（通常为半导体层）构成的电容器。

作为以半导体层为另一个电极的电容器的半导体层的形成方法，采用例如日本专利第1868722号公报（专利文献1）、日本专利第1985056号公报（专利文献2）、日本专利第2054506号公报（专利文献3）中记载的通电方法来形成的方法是公知的。这些方法都是通过将在表面设置有电介质层的导电体浸渍于半导体层形成溶液中，以导电体侧为阳极并在其与半导体层形成溶液中准备的阴极之间施加电压（流通电流），由此形成半导体层的方法。

另外，在日本特开平3-22516号公报（专利文献4）中记载了：通过使在交流上叠加了直流偏置电流的电流在设置有电介质层的导电体中流通来形成半导体层的方法。另外，在日本特开平3-163816号公报（专利文献5）中记载了：使导体与在电介质层上设置的化学聚合层接触，以该导体为阳极通过电解聚合来在化学聚合层上形成半导体层的方法。

但是，在该专利文献4、5记载的方法中，在同时在多个导电体上形成半导体层的情况下存在如下的问题。即，在专利文献4记载的方法中，在阴极侧也形成有半导体层，存在随着通电时间经过，半导体层的形成状况发生变化的问题，另外，难以在多个导电体中均一地流通电流。另外，在专利文献5记载的方法中，由于以设在外部的导体为阳极进行了通电，因此难以在各导电体的内部形成均一的半导体层。在内部的细孔小、并为大的形状的导电体中，形成均一的半导体层特别困难。

当在上述的形成有电介质层的导电体上通过通电方法形成半导体层的情况下，虽然在数个导电体上形成半导体层时没有问题，但在工业的水平下，例如一次在一百个以上的导电体上形成半导体层的情况下，各导电体未必是均质的，另外，有时半导体的形成速度也因导电体而不同，因此特别是在多个导电体上同时地形成半导体层时，在各导电体中流通的电流值不一定，制成的电容器的半导体层的形成状况不一致，有时难以制作稳定的容量的电容器。

因此，本发明者们提出了集合了与各个导电体对应的小反应容器（个室）的形态的反应容器（参照专利文献6、7）。

现有技术文献

专利文献1：日本专利第1868722号公报

专利文献2：日本专利第1985056号公报

专利文献3：日本专利第2054506号公报

专利文献4：日本特开平3-22516号公报

专利文献5：日本特开平3-163816号公报

专利文献6：WO2006/028286小册子

专利文献7：日本专利第4049804号公报

发明内容

但是，在使用上述专利文献6中记载的划分成为各个室的反应容器的情况下，由于各个室每一个独立地消耗反应液，进行向导电体的附着、干燥等，因此在各个室中的液面水平（液面高度）的经时变化并不一样，由此存在不能够将各导电体（阳极体）上的电介质层形成范围和/或半导体层形成范围保持为一定的问题。另外，由于反应液的浓度等也在各个室间不同，因此还存在对于各导电体（阳极体）不能够形成均一的电介质层和/或均一的半导体层的问题。

另外，在上述专利文献7记载的反应容器中，为了能够将各个室（区划）的液面调整为同一高度，在相邻的个室间设置有微小的孔，但如果使用该反应容器进行例如化学转化处理，则特别是在其初期有时各元件间（各导电体间）的电位差较大，存在下述问题：在将电介质层均一化的观点上不能够忽视的程度的电流通过上述孔泄漏到其他的个室（区划）、以及其泄漏的程度根据个室（区划）的位置而不同，其结果，在各导电体中流通的电流量产生偏差，未必能够制造均一的电容器元件。