[发明专利]两个高温和低温丝网印刷部分式的光伏电池导体

权利要求书

1.在半导体材料（1）上实施至少一个电导体的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（E1）－通过丝网印刷沉积第一高温浆料；

（E2）－通过丝网印刷沉积第二低温浆料，所述第二低温浆料至少部分地叠置于在前一步骤时被沉积的所述第一高温浆料上。

2.根据权利要求1所述的在半导体材料上实施至少一个电导体的方法，其特征在于，第一步骤（E1）包括将丝网印刷的所述第一高温浆料加热到高于500℃的温度；并且，第二步骤（E2）包括将丝网印刷的所述第二低温浆料加热到低于500℃的温度。

3.根据权利要求2所述的在半导体材料上实施至少一个电导体的方法，其特征在于，所述第一步骤（E1）包括将丝网印刷的所述第一高温浆料加热到高于700℃的温度；并且，所述第二步骤（E2）包括将丝网印刷的所述第二低温浆料加热到低于300℃的温度。

4.根据前述权利要求中任一项所述的在半导体材料上实施至少一个电导体的方法，其特征在于，第一步骤（E1）包括将第一高温浆料以叠置于定位在绝缘层（6）下的掺杂区域（4，5）上的方式沉积在位于所述半导体材料的表面的所述绝缘层（6）上，使得对丝网印刷的所述第一高温浆料的加热允许穿透所述绝缘层（6），以得到与定位在所述绝缘层（6）下的所述掺杂区域（4，5）的电接触。

5.根据权利要求4所述的在半导体材料上实施至少一个电导体的方法，其特征在于，第二步骤（E2）包括将所述第二低温浆料沉积在位于所述半导体材料的表面的所述绝缘层（6）上，使得对丝网印刷的所述第二低温浆料的加热不允许穿透所述绝缘层（6）。

6.半导体材料，其包括至少一个电导体，所述半导体材料的特征在于，所述电导体包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括丝网印刷高温浆料（7，8），所述第二部分包括丝网印刷低温浆料（17，18），其至少部分地覆盖所述第一部分。

7.根据权利要求6所述的半导体材料，其特征在于，所述丝网印刷高温浆料（7，8）包括金属部分，所述金属部分包括银和铝或仅包括银；并且，所述丝网印刷低温浆料（17，18）包括一种或多种金属，如银、铝和/或铜。

8.根据权利要求7所述的半导体材料，其特征在于，所述丝网印刷高温浆料（7，8）包括玻璃微粒。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体材料，其特征在于，所述电导体的包括所述丝网印刷高温浆料（7，8）的第一部分与存在于所述半导体材料内部的掺杂井区（4，5）电接触，所述掺杂井区除在所述第一部分下以外被绝缘层（6）覆盖。

10.根据权利要求9所述的半导体材料，其特征在于，所述电导体的包括所述丝网印刷低温浆料（17，18）的第二部分比所述第一部分具有更大的宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体材料，其特征在于，所述电导体具有蘑菇形截面，所述第一部分相当于其基部，以及所述第二部分相当于其头部。

12.根据权利要求11所述的半导体材料，其特征在于，所述电导体的所述头部的宽度比所述基部的宽度大至少一倍。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的半导体材料，其特征在于，所述电导体的包括所述丝网印刷高温浆料（7，8）的所述第一部分在所述半导体材料的整个宽度上形成一条或多条连续或不连续的带。

14.根据权利要求7至13中任一项所述的半导体材料，其特征在于，包括至少一个电导体的所述半导体材料是光伏电池。

15.根据权利要求14所述的半导体材料，其特征在于，所述半导体材料包括后表面（3），在该后表面处布置有两个具有相反电掺杂的掺杂井区（4，5）；所述后表面被覆以绝缘层（6）；并且，所述半导体材料包括两个电导体，每个所述电导体包括一第一部分，所述第一部分具有丝网印刷高温浆料（7，8），在所述绝缘层（6）的厚度中，与一掺杂井区（4，5）接触，每个所述电导体还包括一第二部分，所述第二部分具有丝网印刷低温浆料（17，18），与所述电导体的第一部分（7，8）接触，并靠置在所述绝缘层（6）的表面上且形成阴极和阳极。

16.根据权利要求15所述的半导体材料，其特征在于，至少一个掺杂井区（4，5）具有的宽度等于所述电导体的所述第一部分（7，8）的宽度的至少两倍。