[发明专利]具有射频屏蔽或外罩的磁共振兼容电子装置

权利要求书

1.一种设备，包括：

电子装置或部件（40、42、44）；以及

射频屏蔽（50、52），其被布置成屏蔽所述电子装置或部件；

其中，所述设备被设置在由磁共振扫描器（10）生成的射频（B₁）场以及由所述磁共振扫描器生成的时变磁场梯度中；并且

其中，所述射频屏蔽包括具有抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的开口（72、82、92）的导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述电子装置或部件（40、42、44）包括电路板（44），并且所述射频屏蔽（50、52）包括：

所述电路板的地平面（50）。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）包括：

外罩（52），其充分罩住所述电子装置或部件（40、42、44）。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60）包括导电网格，所述网格的开口界定了抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的所述开口。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（70、80、90）包括金属片或层，所述金属片或层具有形成于其中的抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的所述开口（72、82、92）。

6.根据权利要求1-3中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（100）包括由小的互连的导电条（104）接合的导电元件（102），从而界定了抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的所述开口。

7.根据权利要求1-3中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（110）包括分散于电绝缘粘合剂（114）中的导电颗粒（112），所述颗粒之间的间隙界定了抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的所述开口。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（120）包括交织的导电纤维（122），所述纤维之间的间隙界定了抑制由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动的所述开口。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）的所述开口（72、82、92）的尺寸被设定为小于自由空间磁共振波长的二十分之一。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）具有大于在所述导电片或层的导电材料中所述磁共振波长的趋肤深度的十倍的最小厚度。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）包括由一个或多个介电层（130）间隔开的多个平行组成的导电片或层（60）。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）包括由单个介电层（130）间隔开的两个平行组成的导电片或层（60）。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）将从所述电子装置或部件（40、42、44）辐射的射频能量有效地减小至少80分贝。

14.根据权利要求1-13中的任一项所述的设备，其中，所述射频屏蔽（50、52）的所述导电片或层（60、70、80、90、100、110、120）的所述开口（72、82、92）将由时变磁场梯度诱发的所述射频屏蔽的振动有效地减小至少3分贝。