[发明专利]用于生产硅的反应器和方法

权利要求书

1.一种用于生产硅的反应器，包括反应器容积件，其特征在于，所述反应器包括或可操作地布置到用于将化学气相沉积(CVD)用的含硅反应气体设置成在所述反应器容积件内旋转的至少一个装置。

2.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述反应器容积件由硅制成或具有内部硅层使得硅表面形成紧贴所述反应器容积件的至少一部分的内表面。

3.根据权利要求1和/或2所述的反应器，其特征在于，所述反应器包括具有圆形或大体圆形横截面的圆柱体形式的外形，所述圆柱体被竖直定位，侧壁由冶金品质或更纯的硅制成，并且一个或多个入口倾斜地布置在底部，使得含硅气体以沿所述壁向上的螺旋路径被引导朝向所述反应器的顶部上的出口，其中所述入口和所述气体的方位包括平行于所述圆柱体轴线的方向分量和平行于内部圆柱体壁的圆周的方向分量。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的反应器，其特征在于，所述反应器包括或可操作地布置到在所述反应器外部的加热设备。

5.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述反应器包括具有圆形内部横截面的圆柱体形式的外形、可操作地连接到所述反应器以旋转所述反应器的电动机、在至少一个端上与所述圆柱体轴线同轴布置的用于贫硅气体的出口、至少一个用于富硅反应气体的入口、可操作地布置在所述反应器的外部或内部上的至少一个加热设备，所述加热设备具有或没有惰性气体和/或冷却气体保护。

6.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，电动机可操作地连接到所述反应器以旋转所述反应器，所述反应器包括随所述反应器旋转的至少一个端板，所述端板装备有至少一个但优选若干个用于含硅反应气体的入口，并且所述端板优选由具有比所述反应器的其余部分的导热性低的导热性的材料制成，例如不同导热性的材料的复合结构，以避免在所述入口处沉积以及使热损失最小。

7.一种生产硅的方法，所述方法在根据本发明的反应器中通过气相沉积和/或清洁含硅气体进行，其特征在于，将化学气相沉积(CVD)用的含硅反应气体设置成在反应器容积件内旋转，这通过操作用于实现所述旋转的至少一个装置。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，以使得所述反应器的横截面大体上生长紧密的方式，通过化学气相沉积将硅有意地沉积在反应器壁上，因此所述反应器的容纳物或所述反应器和所述反应器壁的容纳物被用在用于生产太阳能电池和/或电子器件目的用的硅的工艺中的另外的阶段。

9.根据权利要求1-6中任一项的反应器用于生产硅和/或清洁含硅反应气体的用途，所述含硅反应气体从根据权利要求1-6的其他反应器或其他类型的CVD反应器供应，或所述气体来自其他来源。

10.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述反应器的壁由经得住操作条件的任何材料制成，优选由低污染材料例如石英、氮化硅或石墨制成。