[发明专利]体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波（BAW）谐振器，包括：谐振器部分，其中，在所述谐振器部分内提供至少一个空隙，其特征在于，所述空隙具有在所述谐振器部分上形成连续封闭路径的沟槽的形式。

2.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述空隙是椭圆形，特别地，是圆形。

3.根据权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于，所述空隙是矩形，特别地，是方形。

4.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述空隙关于所述谐振器部分的至少一个横向中心轴对称定位，优选地，所述空隙关于所述谐振器部分的两个横向中心轴对称定位。

5.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述空隙的尺寸是所述谐振器部分的对应尺寸的15-35%，特别地，是所述谐振器部分的对应尺寸的20-30%，优选地，是所述谐振器部分的对应尺寸的约25%。

6.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，按照预定义的图案在谐振器部分上提供多个这样的空隙，所述图案优选地关于所述谐振器部分的至少一个中心横向轴对称。

7.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器部分是矩形，特别地，是方形，或者所述谐振器部分是椭圆形，特别地，是圆形。

8.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器包括硅晶片和在所述硅晶片上制造的第一沟槽以及在所述硅晶片上制造的第二沟槽，其中，所述第一沟槽限定所述谐振器部分，所述第二沟槽限定所述空隙。

9.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，所述空隙的大小和/或形状被匹配为使处理变化对谐振器的谐振频率的影响最小化。

10.根据前述任意一项权利要求所述的谐振器，其特征在于，在相同的处理步骤中制造谐振器部分的外部边界和空隙，诸如在蚀刻步骤中来制造谐振器部分的外部边界和空隙。

11.一种制造体声波（BAW）谐振器的方法，包括：

-提供基底，

-对所述基底进行处理，从而在所述基底上制作具有外部尺寸的谐振器部分，

其特征在于：

在被用于制作所述谐振器部分的外部尺寸的相同处理步骤中对所述谐振器部分制作至少一个空隙。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述处理步骤是蚀刻步骤，优选地，是深反应离子蚀刻（DRIE）步骤。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，制作根据权利要求1-10中的任意一项所述的谐振器。