[发明专利]用于可缩放电源的高性能低压差分信号驱动器

权利要求书

1.一种装置，包括：

输入级，其具有第一差分对CMOS晶体管和第二差分对CMOS晶体管，所述第一差分对CMOS晶体管接收差分输入信号，所述第二差分对CMOS晶体管耦合到所述第一差分对；

第一输出级，其具有第一接成二极管形式的双极晶体管和第二接成二极管形式的双极晶体管，其中所述第一接成二极管形式的双极晶体管和第二接成二极管形式的双极晶体管中每一个均耦合到所述第二差分对CMOS晶体管中的一个CMOS晶体管；

第二输出级，其具有第一组双极晶体管，其中所述第一组双极晶体管中的每一个双极晶体管在其基极耦合到所述第一接成二极管形式的双极晶体管，并且第一电流镜耦合到所述第一组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极；和

第三输出级，其具有第二组双极晶体管，其中所述第一组双极晶体管中的每一个双极晶体管在其基极耦合到所述第一接成二极管形式的晶体管，其中来自所述第二组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极耦合到所述第一电流镜，并且其中第二电流镜耦合到所述第一组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极和所述第二组双极晶体管中的至少一个双极晶体管的集电极。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一差分对CMOS晶体管进一步包括：

第一NMOS晶体管，其在栅极接收所述差分输入信号的至少一部分；

第二NMOS晶体管，其在源极耦合到所述第一NMOS晶体管的源极并在栅极接收所述差分输入信号的至少一部分；和

电流源，其耦合到所述第一NMOS晶体管的源极和所述第二NMOS晶体管的源极。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二差分对CMOS晶体管进一步包括：

第三NMOS晶体管，其在漏极耦合到多个接成二极管形式的双极晶体管中的至少一个双极晶体管并且在栅极耦合到所述第一NMOS晶体管的漏极；

第四NMOS晶体管，其在漏极耦合到多个接成二极管形式的双极晶体管中的至少一个双极晶体管并且在栅极耦合到所述第二NMOS晶体管的漏极；和

第二电流源，其耦合到所述第三NMOS晶体管的源极和所述第四NMOS晶体管的源极。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一输出级进一步包括：

第一接成二极管形式的PNP晶体管，其在基极和集电极耦合到所述CMOS晶体管中的至少一个CMOS晶体管；

第二接成二极管形式的PNP晶体管，其在基极和集电极耦合到所述CMOS晶体管中的至少一个CMOS晶体管；

第一电流源，其耦合到所述第一PNP晶体管的发射极和基极；

第二电流源，其耦合到所述第二PNP晶体管的发射极和基极。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一组双极晶体管进一步包括：

第一PNP晶体管，其在基极耦合到多个接成二极管形式的双极晶体管中的至少一个双极晶体管的基极并且在集电极耦合到所述第一电流镜；和

第二PNP晶体管，其在基极耦合到所述第一PNP晶体管的基极并且在集电极耦合到所述第二电流镜。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二组双极晶体管进一步包括：

第一PNP晶体管，其在基极耦合到多个接成二极管形式的双极晶体管中的至少一个双极晶体管的基极并且在集电极耦合到所述第二电流镜；和

第二PNP晶体管，其在基极耦合到所述第一PNP晶体管的基极并且在集电极耦合到所述第一电流镜。