[发明专利]β型赛隆荧光体的制造方法有效
| 申请号： | 201080048286.0 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102575158A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 市川真义;长崎浩德 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/64 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎;郭红丽 |
| 地址： | 日本东京中央*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 型赛隆 荧光 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述荧光体在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素，所述制造方法的特征在于，包括：
对含有氮化硅、铝化合物粉末以及光学活性元素化合物的混合物进行加热处理的烧结工序；
在冷却烧结物后，在氮气气氛下对该烧结物进行加热处理的高温退火工序；
在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序；和
用酸处理稀有气体处理物的工序。
2.一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述荧光体在氮化物或氧氮化物的结晶中含有作为发光中心的光学活性元素，所述制造方法的特征在于，包括：
在氮气气氛下加热含有硅、铝化合物粉末以及光学活性元素化合物的混合物的氮化工序；
对氮化处理后的金属化合物和光学活性元素化合物进行加热处理的烧结工序；
在冷却烧结物后，在氮气气氛下对该烧结物进行加热处理的高温退火工序；
在稀有气体气氛下加热处理高温退火处理物的稀有气体退火工序；和
用酸处理稀有气体处理物的工序。
3.根据权利要求1或2所述的β型赛隆荧光体的制造方法，其特征在于，所述高温退火工序的加热处理温度低于烧结工序的加热温度。
4.根据权利要求1或2所述的β型赛隆荧光体的制造方法，其特征在于，所述稀有气体退火工序的加热处理温度低于烧结工序的加热温度。
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