[发明专利]光源装置、电子图像取得装置、电子图像观察装置、内窥镜装置、胶囊型内窥镜装置有效
申请号: | 201080047200.2 | 申请日: | 2010-08-11 |
公开(公告)号: | CN102576795A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 菊池悟 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;A61B1/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 电子 图像 取得 观察 内窥镜 胶囊 | ||
1.一种光源装置,其在第1照射方式中发出第1特定光谱频带(以下将“光谱频带”简称为“频带”)的光和波长大于该第1特定频带的第2特定频带的光,在第2照射方式中发出光谱与该第1照射方式的光不同的第2照射频带的光,其特征在于,该光源装置具有:
框体,其朝光的照射方向开口;
第1发光元件,其设置于上述框体,在上述第1照射方式中发光而在上述第2照射方式中不发光,发光频带具有与上述第1特定频带重合的部分;
第1荧光体,其以使得上述第1发光元件发出的光能够到达的方式设置于上述框体,且其激励频带中包含上述第1特定频带而其荧光发光频带中包含上述第2特定频带;
第2荧光体,其以使得上述第1发光元件发出的光能够到达的方式设置于上述框体,其激励强度与上述第1荧光体相比在上述第1特定频带中低而在上述第2照射频带内的短波长侧的第2荧光激励频带中高,并且其荧光发光频带包含上述第2荧光激励频带之外的上述第2照射频带;以及
第2发光元件,其以使得所发出的光能够到达上述第1荧光体和上述第2荧光体的方式设置于上述框体,在上述第2照射方式中发光而在上述第1照射方式中不发光,其发光频带包含于上述第2荧光激励频带中。
2.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,上述第2荧光体的激励频带与上述第1荧光体的荧光发光频带不重合。
3.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,上述第2荧光体的荧光发光频带与上述第1荧光体的激励频带不重合。
4.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,上述第1照射方式是进行NBI(窄带摄像)照射的照射方式,
上述第1发光元件是进行窄带发光的发光元件,
上述第1荧光体的荧光发光频带比上述第2荧光体的荧光发光频带窄。
5.根据权利要求4所述的光源装置,其特征在于,
上述第2照射方式是通过发出上述第2照射频带的光来进行白色光照射的照射方式,
上述第2发光元件是发出包含于上述第2照射频带内的短波长侧的频带即蓝色频带中的光的发光元件,
上述第2荧光体的荧光发光频带中包含上述蓝色频带之外的上述第2照射频带,并且其进行荧光发光而发出的光是由上述第2发光元件发出的光的补色。
6.根据权利要求5所述的光源装置,其特征在于,上述第1发光元件和上述第2发光元件是半导体发光元件。
7.根据权利要求6所述的光源装置,其特征在于,
上述第1发光元件是在415nm的波长附近具有发光强度的峰值的半导体发光元件,
上述第1荧光体是在540nm的波长附近具有荧光发光强度的峰值的荧光体。
8.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,上述第1荧光体是粉末荧光体,其密度被配设成将上述第1发光元件发出的光的一部分用作激励光,且不将该第1发光元件发出的光的另一部分和由上述第2发光元件发出的光的至少一部分用作激励光而使其散射,
上述第2荧光体是粉末荧光体,其密度被配设成将上述第2发光元件发出的光的一部分用作激励光,且不将该第2发光元件发出的光的另一部分和由上述第1发光元件发出的光的至少一部分用作激励光而使其散射。
9.根据权利要求8所述的光源装置,其特征在于,
上述框体具有印刷基板和筒状的反射体,该反射体的底面侧安装于印刷基板上且上表面侧成为朝向光的照射方向的上述开口,
上述第1发光元件和上述第2发光元件安装于上述印刷基板上的成为上述反射体的内部的位置上,
作为上述第1荧光体的粉末荧光体和作为上述第2荧光体的粉末荧光体以覆盖上述第1发光元件和上述第2发光元件的方式被树脂密封于由上述印刷基板和上述反射体构成的凹状部中。
10.一种电子图像取得装置,其特征在于,具有:
权利要求1所述的光源装置;以及
摄像装置,其使用光学系统将由上述光源装置照射并由被摄体反射的光成像并摄像。
11.一种电子图像观察装置,其特征在于,具有:
权利要求10所述的电子图像取得装置;以及
显示装置,其显示由上述摄像装置摄像得到的图像。
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