[发明专利]多层有机薄膜太阳能电池无效
| 申请号: | 201080042737.X | 申请日: | 2010-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN102598334A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 范斌;弗兰克·纽施;罗兰·哈尼 | 申请(专利权)人: | 瑞士材料试验研究所 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;菅兴成 |
| 地址: | 瑞士迪*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 有机 薄膜 太阳能电池 | ||
1.多层有机薄膜太阳能电池(0),其包含以各自的顺序彼此相邻层叠的阴极层(1)、受体层(2)、供体层(3)、导电阳极层(4)和基板层(5),其中至少一个有机或无机中间匹配层(x)被放置在至少两个相邻放置的层(1,2,3,4,5)之间的异质结界面上,其特征在于,所述中间匹配层(x)包含无机盐或有机盐,特别是选自以下组中的盐:NH4BF4、NaClO4、LiClO4、NaBF4、R4NBF4、NH4ClO4、R4NClO4(其中R代表任意烷基基团)以及花青盐。
2.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述中间匹配层(x)包含含有阴离子和阳离子的盐,所述阴离子由硫酸根、卤素离子、硝酸根、碳酸根、磷酸根、硼酸根、过氯酸根或由磺酸阴离子、羧酸阴离子或硫酸阴离子组成的有机部分组成,所述阳离子由锂、钠、钾、钙、镁、铁、钴、镍、铜、锌、铝、铵或R4N(其中R表示任何有机取代基)组成。
3.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述中间匹配层(x)的厚度至少对应于双单分子层的厚度。
4.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述中间匹配层(x)的厚度在1nm至5nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述导电阳极层(4)包含以下物质中的至少一种:PEDOT:PSS、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚比咯、掺杂的聚噻吩、掺杂的聚对苯撑、掺杂的聚乙烯-咔唑及其混合物。
6.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述基板层(5)包含以下物质中的至少一种:氧化铟锡(ITO)玻璃、Ga-In-O复合物、Zn-In-O复合物或NiO、碳纳米管、石墨烯、支撑基板上的金属网格、支撑基板上的PEDOT:PSS。
7.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述受体层(2)包含具有高电子亲和势的有机分子,例如富勒烯(例如C60)、富勒烯的混合物和/或不同的富勒烯衍生物和/或花青染料和/或蒽醌和/或苝衍生物。
8.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述活性层(3)包含花青染料。
9.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,阴极层(1)包含铝,受体层(2)包含C60分子,活性层(3)包含花青,导电阳极层(4)包含聚苯胺、PEDOT:PPS或聚苯胺与PEDOT:PPS的组合,并且中间匹配层(x)插入在供体层(3)和导电阳极层(4)之间。
10.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,所述太阳能电池(0)包括:
厚度大于5nm的导电阳极层(4),
厚度为1nm至5nm的相邻的中间匹配层(x),
厚度小于50nm的相邻的活性层(3),随后为厚度为30nm至100nm的受体层(2),其被厚度大于60nm的阴极层(1)覆盖。
11.根据权利要求1所述的多层有机薄膜太阳能电池(0),其特征在于,将阻挡层,尤其是由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)或氟化锂(LiF)组成的阻挡层置于受体层(2)和阴极层(1)之间。
12.制造前述任一项权利要求所述的多层有机薄膜太阳能电池(0)的方法,其特征在于,进行如下连续的涂布工序:
a)在基板层(5)上涂布导电阳极层(4),然后
b)在导电阳极层(4)上涂布包含无机盐或有机盐的中间匹配层(x),然后
c)涂布活性层(3)以覆盖中间匹配层(x),然后
d)将受体层(2)沉积在活性层(3)上,然后
e)沉积阴极层(1)。
13.根据权利要求12所述的制造多层有机薄膜太阳能电池(0)的方法,其特征在于,所述涂布工序步骤a)、b)和c)在环境条件下进行,所述涂布工序步骤d)和e)在真空条件下进行。
14.根据权利要求12或13所述的制造多层有机薄膜太阳能电池(0)的方法,其特征在于,可以在涂布步骤c)和/或涂布步骤d)之后进行涂布步骤b)。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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