[发明专利]电子发射体以及X射线放射装置无效
申请号: | 201080037145.9 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN102576634A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 铃木良一;石黑义久;羽场方芳 | 申请(专利权)人: | 株式会社生活技术研究所 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J35/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 以及 射线 放射 装置 | ||
1.一种电子发射体,其形成了通过在基板的表面施加电压来发射电子的碳膜,所述电子发射体的特征在于,
所述基板的表面被形成为凹面,所述碳膜通过面状地展开多个由碳构成的突起而构成。
2.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在于,
所述基板的表面被形成为在1点结成焦点的凹面,所述突起的轴心朝向所述焦点。
3.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在于,
所述由碳构成的突起由形成于基板表面的隆起部和从该隆起部延伸出的针状部构成,该针状部构成由石墨烯薄片斜着卷绕而成的中空状。
4.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在于,
在所述基板的周边设置卡片电极,该卡片电极比所述碳膜更加突出并且外周侧的曲率半径为碳膜侧的曲率半径以上。
5.一种X射线放射装置,其特征在于,
将权利要求1~4中任一项所述的电子发射体作为阴极,将金属靶作为阳极,将所述阳极配置在所述基板的凹面的焦点位置。
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